[实用新型]一种磁栅尺精密测量仪有效

专利信息
申请号: 201320244975.X 申请日: 2013-05-08
公开(公告)号: CN203224207U 公开(公告)日: 2013-10-02
发明(设计)人: 刘乐杰;彭春雷 申请(专利权)人: 北京嘉岳同乐极电子有限公司
主分类号: G01B7/02 分类号: G01B7/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100083 北京市海淀区*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 磁栅尺 精密 测量仪
【权利要求书】:

1.一种磁栅尺精密测量仪,其特征在于,包括:

定片刻度盘,其包括沿其长度方向排列的多个磁传感器芯片,每个所述磁传感器芯片包括至少两条彼此平行的磁感应薄膜和焊盘,所述焊盘与所述磁感应薄膜电连接,所述磁感应薄膜连接成具有独立输出通道的惠斯通电桥;

移动磁极,其沿所述定片刻度盘的长度方向移动,所述移动磁极产生的磁场可使与其位置相对的所述磁传感器芯片感应并输出差分信号;

信号处理单元,其用于根据所述差分信号获得所述移动磁极在所述定片刻度盘的相对位置,并将其转换成所测量器件的长度尺寸;

显示单元,其用于显示所测量器件的长度尺寸。

2.根据权利要求1所述的磁栅尺精密测量仪,其特征在于,所述磁传感器芯片在所述定片刻度盘的长度方向上纵向排列设置。

3.根据权利要求1所述的磁栅尺精密测量仪,其特征在于,在所述定片刻度盘的长度方向上,相邻两个所述磁传感器芯片错位排列。

4.根据权利要求1所述的磁栅尺精密测量仪,其特征在于,所述磁感应薄膜在其长度方向错位设置。

5.根据权利要求1所述的磁栅尺精密测量仪,其特征在于,所述磁敏感薄膜包括巨磁阻磁敏感薄膜、各向异性磁阻磁敏感薄膜、隧穿效应磁阻磁敏感薄膜、巨磁阻抗效应磁阻磁敏感薄膜、霍尔效应薄膜或巨霍尔效应薄膜。

6.根据权利要求1所述的磁栅尺精密测量仪,其特征在于,包括印制电路板,设于所述印制电路板的布线通过所述焊盘与所述磁感应薄膜电连接,所述差分信号通过所述印制线路板传输至所述信号处理单元。

7.根据权利要求1所述的磁栅尺精密测量仪,其特征在于,所述移动磁极包括永磁体和屏蔽壳,所述屏蔽壳包含至少一条狭缝使得所述永磁体置于所述屏蔽壳内,并使所述永磁体的磁场通过狭缝向所对应的磁敏感薄膜发射出去。

8.根据权利要求1所述的磁栅尺精密测量仪,其特征在于,包括复位单元,其用于使所述信号处理单元复位,以及使所述显示单元的读数归零。

9.根据权利要求1所述的磁栅尺精密测量仪,其特征在于,所述磁栅尺精密测量仪为游标卡尺,所述定片刻度盘设于所述游标卡尺的主尺;所述移动磁极设于所述游标卡尺的游标上。

10.根据权利要求1所述的磁栅尺精密测量仪,其特征在于,所述磁栅尺精密测量仪为螺旋测微器,将一套所述定片刻度盘和所述移动磁极分别设于测微螺杆和主尺;同时将另一套所述定片刻度盘和所述移动磁极分别设于螺旋尺和主尺;或者,将移动磁极设于主尺,将两个所述定片刻度盘分别设于测微螺杆和螺旋尺。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京嘉岳同乐极电子有限公司,未经北京嘉岳同乐极电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201320244975.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top