[实用新型]一种磁传感器结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及传感器领域，尤其涉及到一种磁传感器结构。

背景技术

磁传感器将磁信号转化为电信号，广泛的应用于生活、工业、航空等各行各业。各向异性磁电阻传感器，其室温下的磁电阻值只有2％左右，但是其饱和场地，具有很高的磁场灵敏度，因此，各向异性磁电阻传感器也是广泛的应用在工业控制领域。但是，巨磁电阻传感器出现之后，各向异性磁电阻传感器的优势不再明显。如何提高各向异性磁电阻传感器的磁电阻数值对于未来更高灵敏度的磁传感器来说具有重要的意义。

实用新型内容

针对各向异性磁电阻数值低的问题，本实用新型提供一种磁传感器结构，能够增加各向异性磁电阻传感器的磁电阻的数值，提高其磁场探测的灵敏度。本实用新型所采取的技术方案为，一种磁传感器结构，包括衬底、各向异性磁电阻传感单元，其中，N个各向异性磁电阻传感单元沉积在衬底上，且N大于1；各向异性磁电阻传感单元包括铂电极、各向异性敏感层、金电极，且铂电极位于最底层，各向异性敏感层位于铂电极上，金电极位于各向异性敏感层上。

本实用新型的各向异性磁电阻传感器包含多个传感单元，能够增加各向异性磁电阻传感器的磁电阻的数值，且各向异性敏感层位于铂电极和金电极之间，能够增加电子的反射，降低噪音，提高其磁场探测的灵敏度。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图。

图中：1衬底、2各向异性磁电阻传感单元、21铂电极、22各向异性敏感层、23金电极。

具体实施方式

以下结合附图实施例对本实用新型作进一步详细描述。

图1为本实用新型的结构示意图，衬底1、各向异性磁电阻传感单元2、铂电极21、各向异性敏感层22、金电极23，其中，N个各向异性磁电阻传感单元2沉积在衬底1上，且N大于1；各向异性磁电阻传感单元2包括铂电极21、各向异性敏感层22、金电极23，且铂电极21位于最底层，各向异性敏感层22位于铂电极21上，金电极23位于各向异性敏感层22上。本实用新型的各向异性磁电阻传感器包含多个传感单元，能够增加各向异性磁电阻传感器的磁电阻的数值，且各向异性敏感层22位于铂电极21和金电极23之间，能够增加电子的反射，降低噪音，提高其磁场探测的灵敏度。

以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。