[实用新型]一种用于晶片表面处理的激光装置有效
申请号: | 201320251813.9 | 申请日: | 2013-05-10 |
公开(公告)号: | CN203390393U | 公开(公告)日: | 2014-01-15 |
发明(设计)人: | 蒋仕彬 | 申请(专利权)人: | 苏州图森激光有限公司 |
主分类号: | B23K26/36 | 分类号: | B23K26/36;B23K26/402;B23K26/046 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 陶海锋 |
地址: | 215011 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 晶片 表面 处理 激光 装置 | ||
1.一种用于晶片表面处理的激光装置,包括:激光器、激光准直扩束系统(2)、激光加工头(3)、控制系统(4)、工作平台(5),激光器发出的激光经过激光准直扩束系统进行扩束,扩束后的激光进入包括激光聚焦系统的激光加工头中,聚焦后的激光被导入到放置在加工平台上的晶片上,其特征在于:所述激光装置还包括加工废气吸气装置(6)、晶片的固定/旋转装置(7),所述激光器是波长在1.7μm~2.2μm的脉冲光纤激光器(1),所述脉冲光纤激光器(1)设有产生脉宽从100飞秒到900纳秒激光脉冲序列的脉冲控制模块。
2.根据权利要求1所述的一种用于晶片表面处理的激光装置,其特征在于:所述激光加工头(3)由扫描激光振镜和远心激光聚焦场镜组成,远心激光聚焦场镜的焦距为10毫米到500毫米。
3.根据权利要求1 所述的一种用于晶片表面处理的激光装置,其特征在于:所述激光加工头(3)由激光聚焦光学系统和气体喷嘴组成,激光聚焦光学系统的焦距为10毫米到500毫米,所述气体喷嘴设置在激光聚焦光学系统一侧,喷嘴口对准晶片。
4.根据权利要求1所述的一种用于晶片表面处理的激光装置,其特征在于:所述激光加工头(3)和所述加工平台(5)之间具有沿着水平面方向相对运动的自由度。
5.根据权利要求1所述的一种用于晶片表面处理的激光装置,其特征在于:所述晶片的固定/旋转装置(7)设置在工作平台(5)上,所述晶片的固定/旋转装置(7)包括晶片夹持装置、转动结构和旋转驱动装置。
6.根据权利要求1所述的一种用于晶片表面处理的激光装置,其特征在于:所述加工废气吸气装置(6)设置在激光头一侧,气嘴对准晶片。
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