[实用新型]一种新型石墨埚底有效
申请号: | 201320262936.2 | 申请日: | 2013-05-15 |
公开(公告)号: | CN203295654U | 公开(公告)日: | 2013-11-20 |
发明(设计)人: | 李广哲;赵聚来 | 申请(专利权)人: | 宁晋晶兴电子材料有限公司 |
主分类号: | C30B15/10 | 分类号: | C30B15/10;C30B29/06 |
代理公司: | 河北东尚律师事务所 13124 | 代理人: | 王文庆 |
地址: | 055550 河北省邢台*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 石墨 | ||
技术领域
本实用新型属于太阳能级直拉单晶硅技术领域,具体涉及一种新型石墨埚底。
背景技术
光伏产业经过最近几年的发展,已经证明了,单晶硅太阳能级电池是今后人类最重要的绿色能源之一。高品质、高产量、低成本是生产制作高效率太阳能电池的基本条件,也是企业发展的必要条件。目前,大多数单晶炉热系统设计都专注于改善单晶硅棒的质量和降低生产成本,然而对于太阳能级单晶硅来说,最重要的通过改变热场结构提高单晶炉产能、提高单晶品质和控制生产成本。
传统上的拉晶系统由于设计及硬件上的缺陷,使得硅单晶的单晶参数以及硅单晶直径在一定程度上无法得到有效控制。如图1所示是现有技术中石墨埚底的结构示意图,石墨埚底用于承托多瓣的石墨埚邦,石墨埚邦对石英埚起支撑作用,图中,埚底本体1整体上为圆盘形,其上表面的形状与埚邦底部的形状相适配,但是其承托范围仅局限于埚邦底部凸棱4以内,再加上石墨埚邦经过长时间高温使用而老化,造成埚邦变形,导致埚邦上沿直径扩大;使石英埚内熔液上下面积不一致,导致晶体生长速度与熔液界面下降速度,单晶直径控制困难,造成单晶直径粗细不均,单晶直径过细硅棒只能作为原料重新回熔利用,严重影响单晶生产成本,且过多把使用过的单晶加入原料中,造成单晶参数、质量明显下降;还有可能造成埚邦蹭加热器,严重时造成焖炉。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种有效控制单晶直径、提高产量成品率的新型石墨埚底。
为解决上述技术问题,本实用新型所采取的技术方案是:一种新型石墨埚底,包括埚底本体;所述埚底本体的外侧设有用于承托埚邦底部凸棱的托盘。
其中,所述托盘为圆环形,并且其宽度大于凸棱底面的宽度。
其中,所述托盘的外侧设有用于承托凸棱外侧埚邦的凸台。
其中,所述凸台为圆环形,埚底本体的外侧面、凸台的内侧面和托盘的上表面围成的凹槽的形状与凸棱的形状相适配。。
采用上述技术方案所产生的有益效果在于:本实用新型通过在埚底本体上增设的托盘和凸台,增加了埚底承托石墨埚邦的面积和范围,避免了埚邦经过长时间高温使用而老化造成的埚邦变形,使晶体生长过程中晶体生长速度与熔液界面下降速度适中一致来控制单晶直径,提高单晶产量成品率。
本实用新型具有如下特点:
(1)本实用新型能有效改善因石墨埚邦长期使用、老化造成的埚邦上口不断扩张问题,提高了石墨埚邦的使用效果;
(2)本实用新型解决了因埚邦老化而造成单晶硅熔液上下直径一致问题,降低了等径过程中埚跟比人为干预的几率,保证了单晶直径良好控制和单晶生长的一次成晶到底率;
(3)本实用新型能够有效保证单晶直径控制,自单晶头部至尾部直径始终如一,避免了因直径粗细不均造成过细单晶报废,有效提高了硅原料使用率;
(4)本实用新型有效避免了因埚邦老化造成埚邦上沿不断向外扩张而导致埚邦蹭加热器闷炉事故发生的几率,提高了单晶炉产量成品率,降低了生产成本。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。
图1是现有技术石墨埚底的结构示意图;
图2是本实用新型石墨埚底的结构示意图;
图中:1、埚底本体,2、托盘,3、凸台,4、凸棱。
具体实施方式
如图2所示,本实用新型为一种新型石墨埚底,包括埚底本体1;埚底本体1的外侧设有用于承托埚邦底部凸棱4的托盘2,托盘2为圆环形,并且其宽度大于凸棱4底面的宽度;托盘2的外侧设有用于承托凸棱4外侧埚邦的凸台3,凸台3为圆环形,埚底本体1的外侧面、凸台3的内侧面和托盘2的上表面围成的凹槽的形状与凸棱4的形状相适配。本实用新型通过增设的托盘2和凸台3增大了埚邦底部的支撑面积和范围,可有效防止因埚邦老化导致的上沿直径扩张,进而减少了埚邦蹭加热器闷炉几率,提升了单晶炉产量成品率,降低了生产成本。
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