[实用新型]基于联栅型晶体管的双基岛封装形式结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体器件封装领域和电子照明设计领域，具体为基于联栅型晶体管的双基岛封装形式结构。 

背景技术

如图1所示，半导体功率UPGAT芯片技术在比较成熟的情况下，将原来一整批的芯片晶元Q1、Q2均采用单颗芯片封装成TO-92或者TO-126形式。在电子照明的紧凑型荧光灯CFL的半桥逆变电路上都会使用两颗这类半导体功率器件，由于是随机配对的，参数一致性得不到保证，电路可靠性差。从生产紧凑型荧光灯CFL的角度和封装角度考虑，不管是生产成本和原材料成本都存在较大压力。 

实用新型内容

本实用新型所解决的技术问题在于提供基于联栅型晶体管的双基岛封装形式结构，以解决上述背景技术中提出的问题。 

本实用新型所解决的技术问题采用以下技术方案来实现： 

基于联栅型晶体管的双基岛封装形式结构，包括双基岛的DIP8铜支架，固晶时选取晶元上两颗相近的UPGAT芯片Q1、Q2独立焊接到所述双基岛的DIP8铜支架上，通过后续的焊线、塑封以及测试使得晶元上两颗相近的UPGAT芯片封装成DIP8。 

本实用新型的两个UPGAT芯片的电性能参数和时间参数非常相近，其安装在紧凑型荧光灯CFL的电路中使用，提高了整个电路的可靠性。 

有益效果： 

本实用新型提高了电路的可靠性，节约了生产成本，节能降耗，具有一定 的应用与推广价值。 

附图说明

图1为背景技术应用电路图； 

图2为本实用新型应用电路图； 

图3为本实用新型结构示意图。 

具体实施方式

为了使本实用新型的实现技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本实用新型。 

如图2、图3所示，基于联栅型晶体管的双基岛封装形式结构，包括双基岛的DIP8铜支架，固晶时选取晶元上两颗相近的UPGAT芯片独立焊接到所述双基岛的DIP8铜支架，通过后续的焊线，塑封以及测试使得晶元上两颗相近的UPGAT芯片封装成DIP8。 

本实用新型制作方法如下：首先选用双基岛的DIP8铜支架，利用专业设备进行两颗相近UPGAT芯片Q1、Q2的固晶；然后利用专业引线设备进行芯片的焊线；最后塑封、切筋成型、测试。本实用新型安装在紧奏型荧光灯CFL中。 

以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型的要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。