[实用新型]一种基于无框架CSP封装背面植球塑封封装件

说明书

技术领域

本实用新型属于集成电路封装技术领域，具体涉及一种基于无框架CSP封装背面植球塑封封装件。

背景技术    

CSP(Chip Scale Package)封装，是芯片级封装的意思。CSP封装最新一代的内存芯片封装技术，其技术性能又有了新的提升。与BGA封装相比，同等空间下CSP封装可以将存储容量提高三倍。

CSP产品的主要特点：封装体尺寸小。CSP封装内存不但体积小，同时也更薄，大大提高了内存芯片在长时间运行后的可靠性，线路阻抗显著减小，芯片速度也随之得到大幅度提高。CSP封装内存芯片的中心引脚形式有效地缩短了信号的传导距离，其衰减随之减少，芯片的抗干扰、抗噪性能也能得到大幅提升，这也使得CSP的存取时间比有极大提高。CSP是最先进的集成电路封装形式，它具有体积小，输入／输出端数可以很多，电性能好，热性能好，体积小重量轻等特点。

但现有技术存在Bump脱落或Bump过小，影响产品的封装可靠性的问题。

实用新型内容

为了解决上述现有技术存在的问题，本实用新型提供了一种基于无框架CSP封装背面植球塑封封装件，其增加产品背面植球工艺及二次塑封工艺，使表面贴装引脚由原来的Bump转换成锡球，增加外露引脚大小，且第二次塑封的塑封料可以与第一次塑封的塑封料在Bump引脚及锡球之间形成更加有效的防拖拉结构，增强引脚牢固性,使引脚不受外界环境影响，直接提高产品的封装可靠性，并在一定程度上降低成本。

一种基于无框架CSP封装背面植球塑封封装件主要由一次塑封体、二次塑封体、键合线、Bump引脚、芯片、铜板、锡球、粘片胶组成。所述芯片与铜板通过粘片胶相连，铜板植有Bump引脚，键合线直接从芯片打到Bump引脚上。一次塑封体和二次塑封体包围了粘片胶、芯片、Bump引脚、键合线、锡球，并构成了电路的整体，塑封体对芯片、Bump引脚、键合线和锡球起到了支撑和保护作用，芯片、键合线、Bump引脚和锡球构成了电路的电源和信号通道。

一种基于无框架CSP封装背面植球塑封封装件的工艺流程如下：晶圆减薄→划片→上芯（粘片）→压焊植球→压焊→一次塑封→铜板背面蚀刻→锡膏印刷、回流焊→背面贴膜→二次塑封→打印→产品分离→检验→包装→入库。

附图说明

图1铜板剖面图；

图2 上芯后产品剖面图；

图3 压焊植Bump引脚剖面图；

图4 压焊键合后产品剖面图；

图5 一次塑封后产品剖面图；

图6 框架背面蚀刻后产品剖面图；

图7 刷锡膏回流焊后产品剖面图；

图8 背面贴膜后产品剖面图；

图9 二次塑封后产品剖面图；

图10产品成品剖面。

图中，1为铜板，2为粘片胶，3为芯片，4为Bump引脚，5为键合线，6为一次塑封体、7为锡球，8为胶膜，9为二次塑封体。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型做进一步的说明。

本实用新型主要适用于单芯片封装件。

如图10所示，一种基于无框架CSP封装背面植球塑封封装件主要由一次塑封体6、二次塑封体9、键合线5、Bump引脚4、芯片3、铜板1、锡球7、粘片胶2组成。所述芯片3与铜板1通过粘片胶2相连，铜板1植有Bump引脚4，键合线5直接从芯片3打到Bump引脚4上。一次塑封体6和二次塑封体9包围了粘片胶2、芯片3、Bump引脚4、键合线5、锡球7，并构成了电路的整体，塑封体对芯片3、Bump引脚4、键合线5和锡球7起到了支撑和保护作用，芯片3、键合线4、Bump引脚5和锡球7构成了电路的电源和信号通道。

一种基于无框架CSP封装背面植球塑封封装件的工艺流程如下：晶圆减薄→划片→上芯（粘片）→压焊植球→压焊→一次塑封→铜板背面蚀刻→锡膏印刷、回流焊→背面贴膜→二次塑封→打印→产品分离→检验→包装→入库。

如图1到图10所示，一种基于无框架CSP封装背面植球塑封封装件的制作工艺，主要按照以下步骤进行：

1、晶圆减薄：减薄厚度50μm～200μm，粗糙度Ra 0.10mm～0.05mm；

2、划片：150μm以上晶圆同普通QFN划片工艺，但厚度在150μm以下晶圆，使用双刀划片机及其工艺；

3、上芯（粘片）：采用粘片胶2上芯；

4、压焊：先使用粗线径键合丝在铜板1上植入Bump作为引脚，再使用常规键合丝在芯片3与Bump引脚4之间键合连接；