[实用新型]整流型阻容吸收装置有效
| 申请号： | 201320272490.1 | 申请日： | 2013-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN203289093U | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 芮骏;唐春林 | 申请（专利权）人： | 安徽一天电气技术有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04 |
| 代理公司： | 合肥和瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 34118 | 代理人： | 任岗生 |
| 地址： | 230031 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 整流 型阻容 吸收 装置 | ||
1.一种整流型阻容吸收装置，包括串联型阻容吸收部件（2），其特征在于：
所述整流型阻容吸收装置还包括三相整流部件（1）；
所述串联型阻容吸收部件（2）的基本组成为串联连接的第一高能电阻器（21）和第一高压电容器（23），其两端跨接于所述三相整流部件（1）的输出端。
2.根据权利要求1所述的整流型阻容吸收装置，其特征是三相整流部件（1）为三相半波整流部件或三相全波整流部件。
3.根据权利要求2所述的整流型阻容吸收装置，其特征是三相全波整流部件为三相桥式整流器，其由第一高压硅堆（11）、第二高压硅堆（12）、第三高压硅堆（13）、第四高压硅堆（14）、第五高压硅堆（15）和第六高压硅堆（16）以三相桥式整流电路结构电连接组成。
4.根据权利要求1所述的整流型阻容吸收装置，其特征是第一高压电容器（23）的两端并联连接有第二高能电阻器（22）。
5.根据权利要求3所述的整流型阻容吸收装置，其特征是在工作电压等级为6～10kV下，第一高压硅堆（11）、第二高压硅堆（12）、第三高压硅堆（13）、第四高压硅堆（14）、第五高压硅堆（15）和第六高压硅堆（16）的电气参数均为75kV/500mA。
6.根据权利要求4所述的整流型阻容吸收装置，其特征是在工作电压等级为6～10kV下，第一高能电阻器（21）的电气参数为100～500Ω/50W，第二高能电阻器（22）的电气参数为1～10MΩ/80W，第一高压电容器（23）的 电气参数为0.1～2μF。
7.根据权利要求3所述的整流型阻容吸收装置，其特征是在工作电压等级为35kV下，第一高压硅堆（11）、第二高压硅堆（12）、第三高压硅堆（13）、第四高压硅堆（14）、第五高压硅堆（15）和第六高压硅堆（16）的电气参数均为200kV/500mA。
8.根据权利要求4所述的整流型阻容吸收装置，其特征是在工作电压等级为35kV下，第一高能电阻器（21）的电气参数为100～500Ω/50W，第二高能电阻器（22）的电气参数为10～500MΩ/80W，第一高压电容器（23）的电气参数为0.1～2μF。
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