[实用新型]液晶显示面板

说明书

技术领域

本实用新型属于液晶显示技术领域，具体涉及一种液晶显示面板。

背景技术

如图1所示，在ADS模式(Advanced Dimension Switch，高级超维场转换模式)的液晶显示面板中，阵列基板91和彩膜基板92相互对盒，而公共电极19和像素电极18均设于阵列基板91上，且一个为板状电极，另一个为设于板状电极上的狭缝电极(图1中，狭缝电极的各条之间的虚线表示这些条之间是电连接的，下同)，两电极间设有绝缘层8；由于两电极间距离很近，故可直接用这两个电极作为存储电容(Cst)的两个极片。

但是，随着显示装置分辨率的提高，像素单元p(即像素或子像素)尺寸不断减小，公共电极19和像素电极18尺寸也相应减小，即存储电容的两个极片正对面积减小，从而导致存储电容值变小，引起Image Sticking(残像)、Flicker(闪烁)等不良。

同时，液晶显示装置通常由薄膜晶体管阵列驱动电路驱动，薄膜晶体管阵列驱动电路包括交叉设置的多根栅极线和数据线，栅极线和数据线的每个交叉处设有一个薄膜晶体管，栅极线连接薄膜晶体管栅极，数据线连接薄膜晶体管源极，薄膜晶体管的漏极则连接像素电极。其中，栅极线、数据线、薄膜晶体管所在的位置不透光，即这些位置不能用于显示。随着分辨率的提高，像素单元的尺寸和像素单元间的距离均缩小、同样面积下像素单元的数量在增加。

但是，上述栅极线、数据线、薄膜晶体管等的尺寸减小具有一定限度，且其数量要与像素单元匹配，故分辨率越高则栅极线、数据线、薄膜晶体管等的数量越多，所占面积(即不透光面积)的比例也越大，这会导致液晶显示面板的开口率降低；同时，由于栅极线、数据线等一般要设在各像素单元之间，故它们的存在还影响了像素单元间距离的缩小，限制了分辨率的提高。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题包括，针对现有的液晶显示面板存储电容小或开口率低的问题，提供一种存储电容大、开口率高的液晶显示面。

解决本实用新型技术问题所采用的技术方案是一种液晶显示面板，其包括：

基板及设置于基板上的用于产生驱动电场的多个第一电极和多个第二电极，每个第一电极设于在第一方向相邻的两像素单元中，每个第二电极设于在第一方向相邻的两像素单元中，第一方向中第一电极和第二电极相差一个像素单元的交错设置，所述第一方向为行或列方向。

优选的，所述基板包括相互对盒的第一基板与第二基板；其中所述第一电极为片状电极，设于第一基板内侧；所述第二电极为狭缝电极，设于第一电极内侧，且与第一电极绝缘并形成存储电容。

进一步优选的，所述液晶显示面板还包括：连接定压源的定压极片，所述定压极片设于第一电极与第一基板之间，且所述定压极片与第一电极绝缘并形成辅助电容。

进一步优选的，所述定压极片接地。

进一步优选的，所述液晶显示面板还包括：设于所述第一基板上的、用于控制第一电极和第二电极的薄膜晶体管阵列驱动电路，所述薄膜晶体管阵列驱动电路包括多根交叉排列的栅极线和数据线，以及设于栅极线和数据线交叉处的薄膜晶体管，其中栅极线沿第一方向排列。

进一步优选的，所述数据线包括第一数据线和第二数据线；且沿第一方向排布的多个第一电极和第二电极分别通过多个薄膜晶体管与同一根栅极线相连；沿与第一方向垂直的方向排布的多个第一电极分别通过多个薄膜晶体管与同一根第一数据线相连；沿与第一方向垂直的方向排布的多个第二电极分别通过多个薄膜晶体管与同一根第二数据线相连。

优选的，所述基板包括相互对盒的第一基板和第二基板：其中，所述第一电极设于第一基板内侧，第一电极与第一基板间设有第一存储极片，第一存储极片与第一电极绝缘且形成第一存储电容；所述第二电极设于第二基板内侧，第二电极与第二基板间设有第二存储极片，第二存储极片与第二电极绝缘且形成第二存储电容。

进一步优选的，所述液晶显示面板还包括：设于所述第一基板上的、用于控制第一电极的第一薄膜晶体管阵列驱动电路，所述薄膜晶体管阵列驱动电路包括多根交叉排列的第一栅极线和第一数据线，以及设于第一栅极线和第一数据线交叉处的第一薄膜晶体管，其中第一栅极线沿第一方向排列；设于所述第二基板上的、用于控制第二电极的第二薄膜晶体管阵列驱动电路，所述薄膜晶体管阵列驱动电路包括多根交叉排列的第二栅极线和第二数据线，以及设于第二栅极线和第二数据线交叉处的第二薄膜晶体管，其中第二栅极线沿第一方向排列。