[实用新型]一种太阳能电池片上的透明绝缘层有效
申请号: | 201320280564.6 | 申请日: | 2013-05-21 |
公开(公告)号: | CN203277394U | 公开(公告)日: | 2013-11-06 |
发明(设计)人: | 卢君;马嫣明;李向清 | 申请(专利权)人: | 江苏爱多光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/042 |
代理公司: | 江阴大田知识产权代理事务所(普通合伙) 32247 | 代理人: | 杨新勇 |
地址: | 214400 江苏省无锡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 透明 绝缘 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种太阳能电池片,具体涉及一种太阳能电池片上的透明绝缘层。
背景技术
随着全球能源的日趋紧张,太阳能以清洁能源、市场空间大等独有的优势受到世界各国的广泛重视。光伏发电具有安全可靠、无噪声、故障率低等优点,太阳能电池是光伏发电技术中将太阳能直接转换为电能的主要器件。
常见的晶体硅太阳能电池是由背电极、背场、半导体材料构成的P型层、N型层、P-N结、减反射薄膜、正面栅电极等部分构成。当太阳光照射到太阳能电池表面时,减反射薄膜和绒面结构可有效减少电池表面的光反射损失。太阳能电池中的半导体结构吸收太阳光能后,激发产生电子、空穴对,电子、空穴对被半导体内部P-N结自建电场分开,电子流入N区,空穴流入P区,形成光生电场,如果将晶体硅太阳电池的正、负电极与外部电路连接,外部电路中就有光生电流流过。
目前太阳能电池包括起基本支撑作用的太阳能电池片以及连接设于电池片表面的电极,电池片产生的电流通过电极导出。为了降低功率损耗,通过减少电流的经过路程的方法,使太阳能电池的电极多为呈栅网图案的栅线电极,栅线电极包括横向设置的副栅线和纵向设置的主栅线,副栅线和主栅线交叉连接为一体;电流产生体吸收阳光,并将光能转化为电能,产生的电流汇集到副栅线上,副栅线再将电流汇集到纵向布置的主栅线上并由主栅线汇集流出。
现有的太阳能电池的栅线电极多是通过印刷法将低温银浆按一定的图案印制在电池片表面上,再烘干形成栅线电极。通过该方法在制备完成太阳能电池表面没有什么保护措施,而电池片受力又容易破碎,这就使得移动、存放、运输时对太阳能电池的保护存在较大的困难。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术中存在的缺陷,提供一种可保护太阳能电池表面的措施,使其受力不易破碎,便于移动、存放、运输的太阳能电池片上的透明绝缘层。
为实现上述目的,本实用新型的技术方案是设计一种太阳能电池片上的透明绝缘层,其特征在于,所述透明绝缘层喷涂或刷镀在太阳能电池片的受光面,所述透明绝缘层设置在太阳能电池片的受光面上,且位于主导电栅线和副导电栅线之间,所述主导电栅线层上的主导电栅线与副导电栅线层上的副导电栅线相互垂直。
为了提高绝缘效果,同时节省绝缘材料,其中优选的技术方案是,所述透明绝缘层厚度与副导电栅线层的厚度相同均为10~15μm。
为了提高绝缘效果,同时节省绝缘材料,进一步优选的技术方案是,在所述太阳能电池片的背面也设有透明绝缘层,所述透明绝缘层设置在太阳能电池片背面的背场导电栅线之间,所述背场为铝浆涂层。
本实用新型的优点和有益效果在于:由于在该太阳能电池片上设置了透明绝缘层,可以很好地保护电池片,增强了电池片抗压能力,降低了生产完成的硅太阳能电池在移动、运输、存储时受力而破损的发生率,提高产品的使用寿命。
附图说明
图1是本实用新型阳能电池片上设置了透明绝缘层后的剖面结构示意图;
图2是本实用新型阳能电池片上设置了透明绝缘层后的立体结构示意图。
图中:1、透明绝缘层;2、太阳能电池片;3、主导电栅线层;4、副导电栅线层;5、导电氧化物薄膜层;6、铝浆涂层。
具体实施方式
下面结合附图和实施例,对本实用新型的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本实用新型的技术方案,而不能以此来限制本实用新型的保护范围。
如图1所示,本实用新型是一种太阳能电池片上的透明绝缘层,该透明绝缘层1喷涂或刷镀在太阳能电池片2的受光面,透明绝缘层1设置在太阳能电池片的受光面上,且位于主导电栅线层和副导电栅线层之间,所述主导电栅线层3上的主导电栅线与副导电栅线层4上的副导电栅线相互垂直。在所述栅线层与太阳能电池片2还设有导电氧化物薄膜层5
在本实用新型中为了提高绝缘效果,同时节省绝缘材料,其中优选的实施方案是,透明绝缘层1厚度与主导电层3和/或副导电栅线层的厚度相同均为10~15μm。
在本实用新型中为了提高绝缘效果,同时节省绝缘材料,进一步优选的实施方案是,在太阳能电池片2的背面也设有透明绝缘层1,透明绝缘层设置在太阳能电池片背面的背场导电栅线之间,所述背场为铝浆涂层6。
以上所述仅是本实用新型的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型技术原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的