[实用新型]发光装置、用于形成多方向出光的发光二极管芯片及其蓝宝石基板

权利要求书

1.一种用于形成多方向出光的发光二极管芯片的蓝宝石基板，包括一成长面与一第二主表面彼此相对设置，其特征在于，所述蓝宝石基板的厚度大于或等于200微米。

2.根据权利要求1所述用于形成多方向出光的发光二极管芯片的蓝宝石基板，其特征在于，所述第二主表面具有一非平面结构。

3.根据权利要求1所述用于形成多方向出光的发光二极管芯片的蓝宝石基板，其特征在于，所述蓝宝石基板还包括至少一类金刚石碳膜，设置于所述成长面或所述第二主表面上。

4.根据权利要求3所述用于形成多方向出光的发光二极管芯片的蓝宝石基板，其特征在于，所述蓝宝石基板还包括至少一光学膜，设置于所述类金刚石碳膜与所述第二主表面之间。

5.根据权利要求1所述用于形成多方向出光的发光二极管芯片的蓝宝石基板，其特征在于，所述成长面或所述第二主表面的面积为设置于其上的至少一发光二极管结构的一发光面的总面积5倍以上。

6.根据权利要求1所述用于形成多方向出光的发光二极管芯片的蓝宝石基板，其特征在于，所述蓝宝石基板还包括至少一波长转换层设置于所述第二主表面上，且所述波长转换层至少包含一种材质以上的荧光粉。

7.根据权利要求1所述用于形成多方向出光的发光二极管芯片的蓝宝石基板，其特征在于，所述蓝宝石基板还包括一反射镜或滤波器，设置于所述第二主表面上或成长面上。

8.根据权利要求7所述用于形成多方向出光的发光二极管芯片的蓝宝石基板，其特征在于，所述反射镜或滤波器包括多层具有不同折射率的介电薄膜。

9.根据权利要求8所述用于形成多方向出光的发光二极管芯片的蓝宝石基板，其特征在于，所述反射镜包括多层金属氧化物。

10.根据权利要求1所述用于形成多方向出光的发光二极管芯片的蓝宝石基板，其特征在于，所述蓝宝石基板还包括一第一连接导线以及一第二连接导线设置于所述成长面或所述第二主表面上。

11.根据权利要求1所述用于形成多方向出光的发光二极管芯片的蓝宝石基板，其特征在于，所述蓝宝石基板对波长范围在420纳米到470纳米的光线的穿透率大于或等于70%。

12.根据权利要求10所述用于形成多方向出光的发光二极管芯片的蓝宝石基板，其特征在于，所述第一连接导线连接一第一连接电极，且所述第二连接导线连接一第二连接电极。

13.根据权利要求12所述用于形成多方向出光的发光二极管芯片的蓝宝石基板，其特征在于，所述第一连接电极与所述第二连接电极相对设置于所述蓝宝石基板两端或同侧。

14.根据权利要求1所述用于形成多方向出光的发光二极管芯片的蓝宝石基板，其特征在于，所述蓝宝石基板上至少设有一插脚，且所述插脚上至少设有一电性端口。

15.一种多方向出光的发光二极管芯片，其特征在于，包括一如权利要求1所述的蓝宝石基板，以及若干个发光二极管结构，设置于所述成长面上，并与未设置所述发光二极管结构的部分所述成长面形成可发光的一第一主表面，若干个所述发光二极管结构均具有一第一电极与一第二电极；

所述发光二极管结构中至少一个所述发光二极管结构的发光方向包括经过所述蓝宝石基板并从所述第二主表面出光。

16.一种多方向出光的发光二极管芯片，其特征在于，包括一如权利要求1所述的蓝宝石基板，以及至少一发光二极管结构，设置于所述成长面上，并与未设置所述发光二极管结构的部分所述成长面形成可发光的一第一主表面，所述发光二极管结构具有一第一电极与一第二电极；

所述发光二极管结构的出光角度大于180度，且所述发光二极管结构所发出的至少部分光线穿透所述蓝宝石基板，并从所述第二主表面出光。

17.根据权利要求15所述的多方向出光的发光二极管芯片，其特征在于，还包括波长转换层设置于所述第一主表面与所述第二主表面上，且不同位置的所述波长转换层所含荧光粉比例为1比0.5至1比3。

18.根据权利要求15所述的多方向出光的发光二极管芯片，其特征在于，还包括波长转换层设置于所述发光二极管结构与所述第二主表面上，且不同位置的所述波长转换层所含荧光粉比例为1比0.5至1比3。