[实用新型]一种可自定义分光比的集成光功率分路器

说明书

技术领域

本实用新型涉及光通信分光技术领域，尤其涉及一种可自定义分光比的集成光功率分路器。 

背景技术

目前，有两种技术途径可以获得实际可变的光功分器：一种是Y型光纤熔融拉锥型光功率可调耦合器，但由于器件尺寸大，且易受应力等环境因素影响，不能够提供稳定的光功率分配比；另一种是利用电光或是热光效应，通过在波导旁附加电极或热电极，以改变Y形波导光路其中一分支波导的折射率的方式来实现可调的光能量分配，但由于制作附加电极或热电极的工艺要求较高，同时很大程度上增加了成本。 

中国专利公开号CN1467926，公开日是2004年1月14日，名称为“光功率分路器”的方案中公开了一种光功率分路器，具有一个输入光波导和用于将输入光波导分路成N个光信号的N个输出光波导，包括： 至少两个具有平面光波电路元件结构并在单一芯片中以预设的距离 被分开放置的光分路器；以及用于对准多个光分路器的输入和输出光波导的对准波导。不足之处在于，这种光功率分路器，只能将一束光信号平均分成两路光信号。由于光信号的衰减与传输路程有关，传输路程越远光信号衰减的越多，到达越远处的光信号就越弱。如果一路光信号需要传输的距离比较远，而另一路光信号需要传输的距离又比较近，那么传输远的那一路光信号由于要经过较远的传输路程，导致到达远距离目的地的光信号变得非常弱，有可能弱到不能识别的程度，进而影响光信号的远距离传输，即在远距离端需要增强的光信号；而传输距离较近的这一路光信号由于经过的路程较近，导致到达近距离目的地的光信号还非常强，而且光信号强到远远超过了近距离目的地所需要的正常光信号，即在近距离端产生出了多余的光信号。远端需要增加光信号，而近端确有多余的光信号，这是由于光信号分配比例比不好，把本来够用的这束光信号给浪费了一部分。将一束光信号平均分成两路光信号的光功率分路器，会导致本来够用的一束光信号会浪费一部分，显得性价比较低。 

名称解释： 

1、CVD(Chemical Vapor Deposition, 化学气相沉积)，指把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程。在超大规模集成电路中很多薄膜都是采用CVD方法制备。经过CVD处理后，表面处理膜密着性约提高30%，防止高强力钢的弯曲，拉伸等成形时产生的刮痕。

2、光刻和刻蚀，这两个词是半导体工艺中的重要步骤。（1）“光刻”是指在涂满光刻胶的晶圆（或者叫硅片）上盖上事先做好的光刻板，然后用紫外线隔着光刻板对晶圆进行一定时间的照射。原理就是利用紫外线使部分光刻胶变质，易于腐蚀。（2）“刻蚀”是光刻后，用腐蚀液将变质的那部分光刻胶腐蚀掉（正胶），晶圆表面就显出半导体器件及其连接的图形。然后用另一种腐蚀液对晶圆腐蚀，形成半导体器件及其电路。 

实用新型内容

本实用新型是为了解决现有光功率分路器，只能将一束光信号平均分成两路光信号，会导致本来够用的一束光信号会浪费一部分，性价比较低的不足，提供一种可自定义分光比的集成光功率分路器及其制备方法，该分路器及其制备方法，在制造时可根据自行设计的分光比需要进行制造，且稳定性好，制作简单，成本低。 

为了实现上述目的，本实用新型采用以下技术方案：