[实用新型]一种可调节的磁控溅射靶材有效

专利信息
申请号: 201320283918.2 申请日: 2013-05-08
公开(公告)号: CN203333749U 公开(公告)日: 2013-12-11
发明(设计)人: 张祥;魏斌;熊红斌 申请(专利权)人: 张祥
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 315175 浙江省宁波市鄞*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 调节 磁控溅射
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及磁控溅射系统及其附件领域,尤其涉及到一种可调节的磁控溅射靶材。

背景技术

磁控溅射应用广泛,已经成为一种重要的薄膜沉积技术。磁控溅射时,氩离子在电场的作用下,加速轰击阴极的靶材,溅射出的靶材原子和原子团沉积到薄膜上,完成镀膜过程。在磁控溅射系统中,由于靶材表面上有一定的磁场分布,氩离子轰击靶材并不是均匀的轰击,而是在靶材上形成一个圆形的沟状。因此,现有的圆柱状靶材,工作一定的时间后,沟状的部位将会被打穿,整个靶材就废掉了,十分的浪费原材料。

实用新型内容

针对磁控溅射靶材的溅射问题,本实用新型提供一种可调节的磁控溅射靶材,能够充分利用靶材,同时节约靶材。本实用新型所采取的技术方案为,一种可调节的磁控溅射靶材,包括靶材、固定座、螺丝、弹性布,其中,靶材为两个长方体,固定座为正方体,且固定座的高度小于靶材的高度,固定座和靶材通过螺丝相连接;两个靶材之间连接有弹性布。

本实用新型将靶材做成两个长方体,大大节约了靶材,同时,溅射的部位位于靶材上,溅射一端时间后,通过螺丝能够调节靶材之间的距离,也就调节了靶材上的溅射的位置,充分的利用靶材。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图。

图中:1靶材、2固定座、3螺丝、4弹性布。

具体实施方式

以下结合附图实施例对本实用新型作进一步详细描述。

图1为本实用新型的结构示意图,靶材1、固定座2、螺丝3、弹性布4,其中,靶材1为两个长方体,固定座2为正方体,且固定座2的高度小于靶材1的高度,固定座2和靶材1通过螺丝3相连接;两个靶材1之间连接有弹性布4。本实用新型将靶材1做成两个长方体,大大节约了靶材1,同时,溅射的部位位于靶材1上,溅射一端时间后,通过螺丝3能够调节靶材1之间的距离,也就调节了靶材1上的溅射的位置,充分的利用靶材1。

以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解,本实用新型不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

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