[实用新型]一种用于太赫兹波探测的共面结构型电光聚合物薄膜传感器件

权利要求书

1.一种用于太赫兹波探测的共面结构型电光聚合物薄膜传感器件，其特征在于，它包括共面结构型电光聚合物薄膜器件(1)、陶瓷电路板(2)和封装屏蔽壳(3)，所述共面结构型电光聚合物薄膜器件(1)为正方形薄板，陶瓷电路板(2)的下表面中心位置开设有正方形的凹槽，所述正方形的凹槽的边长小于共面结构型电光聚合物薄膜器件(1)的边长，陶瓷电路板(2)的上表面中心位置开有薄膜固定槽，所述薄膜固定槽为正方形、且其边长与共面结构型电光聚合物薄膜器件(1)的边长相等，所述薄膜固定槽的底部与正方形的凹槽的顶部连通，共面结构型电光聚合物薄膜器件(1)嵌入固定在薄膜固定槽内，所述共面结构型电光聚合物薄膜器件(1)与陶瓷电路板(2)的连接处通过硅化铝焊接固定，封装屏蔽壳(3)固定在陶瓷电路板(2)中心的正上方、且覆盖共面结构型电光聚合物薄膜器件(1)，所述共面结构型电光聚合物薄膜器件(1)的两个电极输出端位于封装屏蔽壳(3)的内侧，所述封装屏蔽壳(3)设置有石英窗口，所述石英窗口位于共面结构型电光聚合物薄膜器件(1)的正上方。

2.根据权利要求1所述的一种用于太赫兹波探测的共面结构型电光聚合物薄膜传感器件，其特征在于，所述的陶瓷电路板(2)上设有两个焊盘(4)，所述两个焊盘(4)均位于封装屏蔽壳(3)的外侧，且所述两个焊盘(4)分别通过覆铜线与共面结构型电光聚合物薄膜器件(1)的两个电极输出端连接。

3.根据权利要求1所述的一种用于太赫兹波探测的共面结构型电光聚合物薄膜传感器件，其特征在于，所述的共面结构型电光聚合物薄膜器件(1)采用微观插指结构，所述微观插指结构的两个电极输出端即为共面结构型电光聚合物薄膜器件(1)的两个电极输出端。

4.根据权利要求1所述的一种用于太赫兹波探测的共面结构型电光聚合物薄膜传感器件，其特征在于，所述的封装屏蔽壳(3)由一个底面和四个侧面构成，所述底面和四个侧面围成立方体空间，四个侧面的开口侧与陶瓷电路板(2)的上表面固定连接。