[实用新型]一种高频晶体管

说明书

技术领域

    本实用新型涉及高频半导体器件，特别是涉及一种高频晶体管。

背景技术

目前市场上的高频晶体管，由于金的电导率高、物理化学性质相对稳定，易于淀积电镀，与其它金属的热匹配较好，因此常用来作为晶体管芯片的背面金属材料，即在外延片背面采用蒸发、溅射等方法形成背金层。虽然金与硅的结合产生的接触电阻已很小，但是超高频晶体管由于其高频特性的特殊需要，要求各个结之间的接触电阻、接触电容等越小越好，单纯金材料不是背金材料的最佳选择。也有采用多层金属结构，包括Pt（铂）层、Ni（镍）层、Cr（铬）层、W （钨）层、Au（金）层，但由于多层金属工艺复杂、不易控制，降低晶体管的高频损耗，和提高高频特性的效果不稳定。所述现有技术的缺陷值得改进。  

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是，提供一种可降低晶体管的高频损耗、提高高频特性的高频晶体管。

采用的技术方案是：

一种高频晶体管，包括高频晶体管的外延片，所述的外延片背面设有背金层，所述背金层为金属Pt（铂）层与 Au（金）层的二层合金化金属层结构。 

上述的由Pt层与Au层所形成的背金层的总厚度为1±0.10μm。

上述的外延片与背金层总厚度小于140微米。

本实用新型的有益效果在于：

经超减薄后采用二层金属依次溅射在外延片背面，在构成外延片的Si（硅）层、Pt（铂）层、Au（金）层中，相邻层材料之间具有良好的匹配性，可以相互之间的接触电阻达到最小，最终导致整体的接触电阻都较小，可降低晶体管的高频损耗，提高高频特性。本实用新型广泛应用在微电子电路中，能耗低，寿命长。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图。

在附图中，1、外延片； 2、Pt（铂）层； 3、Au（金）层。 

具体实施方式

一种高频晶体管，包括高频晶体管的外延片1，所述外延片1背面由内到外依次设有由Pt（铂）层 2、Au（金）3层，构成二层合金化背金层结构，所述由Pt、Au构成的背金层的总厚度为1μm，外延片经超减薄处理，处理后所述外延片1与背金层总厚度小于140微米，将两种金属依次蒸发、溅射在外延片1背面，形成背金层后，在500度高温和氢气保护下，进行20分钟的合金化，使外延片与背金层形成微合金。