[实用新型]半导体激光发生装置有效
申请号: | 201320288621.5 | 申请日: | 2013-05-23 |
公开(公告)号: | CN203326357U | 公开(公告)日: | 2013-12-04 |
发明(设计)人: | 王静娜 | 申请(专利权)人: | 王静娜 |
主分类号: | H01S5/042 | 分类号: | H01S5/042;H01S5/026;A61N5/067 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 315500 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 激光 发生 装置 | ||
1.一种半导体激光发生装置,包括半导体激光芯片(1)、光纤耦合器(2)以及输出光纤(3),所述半导体激光芯片(1)通过光纤耦合器(2)与输出光纤(3)进行连接,其特征在于,所述激光发生装置还包括驱动电路板(4)和输出头(5),所述驱动电路板(4)与半导体激光芯片(1)电连接,所述输出头(5)连接输出光纤(3)的输出端。
2.根据权利要求1所述的半导体激光发生装置,其特征在于,所述装置还包括电源。
3.根据权利要求2所述的半导体激光发生装置,其特征在于,所述装置还包括壳体(6)以及开关(7),所述开关(7)设置在壳体(6)上。
4.根据权利要求3所述的半导体激光发生装置,其特征在于,所述装置还包括基座(8),所述基座(8)位于壳体(6)内,所述半导体激光芯片(1)、光纤耦合器(2)、驱动电路板(4)以及输出光纤(3)分别固定在基座(8)上。
5.根据权利要求4所述的半导体激光发生装置,其特征在于,所述壳体(6)上开有供输出头穿过的小孔。
6.根据权利要求5所述的半导体激光发生装置,其特征在于,所述基座(8)采用绝缘材料制成。
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