[实用新型]一种高频线屏蔽包带结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种高频线屏蔽包带结构，具体地说，涉及一种降低屏蔽层的不连续面对芯线中的高频信号影响的一种高频线屏蔽包带结构。

背景技术

现有技术中，高频线缆的屏蔽层通常采用带状的屏蔽箔螺旋地绕包于芯线外而形成，参见附图1和附图2所示。其中，屏蔽箔由相黏合的麦拉和金属箔构成。当屏蔽箔绕包于芯线外时，其构成的螺旋状结构在相邻的两圈的衔接处会形成重叠区域。该重叠区域中，两层金属箔被一层麦拉分隔开，从而形成一电容。当屏蔽层中有信号传递时，该信号在经过重叠区域时，由于屏蔽箔的内外表面（即金属箔的一面和麦拉的一面）之间没有导通，使得屏蔽箔中的信号由前一圈螺旋跳跃至后一圈螺旋而传递，或是沿螺旋环绕芯线一周而传递，这样会对芯线中的高频信号产生负面影响。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种能够降低屏蔽层的不连续面对芯线中的高频信号的影响的一种高频线屏蔽包带结构。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：

一种高频线屏蔽包带结构，包覆于高频线的芯线外而形成屏蔽层，所述的高频线屏蔽包带结构为由连续带状的屏蔽箔沿所述的芯线的轴线方向自前向后螺旋状绕包于所述的芯线外而形成的螺旋结构，所述的螺旋结构由多圈依次首尾相连并环绕所述的芯线一周的螺旋单体构成，相邻的螺旋单体上沿所述的屏蔽箔的长度方向的边缘相重叠而构成螺旋状的重叠部分，所述的屏蔽箔包括麦拉和黏合于所述的麦拉的一表面上的金属箔，所述的屏蔽箔上具有沿其长度方向的翻折线，所述的屏蔽箔包括位于所述的翻折线一侧的本体部和位于所述的翻折线另一侧的翻折部，所述的翻折部沿所述的翻折线翻折至其麦拉与所述的本体部的麦拉相贴合；所述的本体部的金属箔上形成沿所述的屏蔽箔的长度方向延伸的第一重叠导通面，所述的翻折部的金属箔上形成沿所述的屏蔽箔的长度方向延伸的第二重叠导通面，任一圈所述的螺旋单体中的所述的本体部上的第一重叠导通面和与该所述的螺旋单体相邻的另一所述的螺旋单体中的翻折部上的第二重叠导通面相重叠连接而形成所述的重叠部分，所述的重叠部分中，所述的第一重叠导通面处的金属箔与所述的第二重叠导通面处的金属箔相接触。

优选的，所述的翻折部的宽度小于所述的本体部的宽度。

优选的，所述的本体部的金属箔向内而靠近所述的芯线、所述的翻折部的金属箔向外或所述的翻折部的金属箔向内而靠近所述的芯线、所述的本体部的金属箔向外；

当所述的本体部的金属箔向内而靠近所述的芯线、所述的翻折部的金属箔向外时，所述的翻折线朝向所述的芯线的轴线方向的后方；

当所述的翻折部的金属箔向内而靠近所述的芯线、所述的本体部的金属箔向外时，所述的翻折线朝向所述的芯线的轴线方向的前方。

优选的，所述的芯线包括一根信号线或两根相平行设置的信号线或两根对绞的信号线。

由于上述技术方案运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：本实用新型在屏蔽箔上设置了本体部和翻折部，使得该屏蔽箔在绕包于芯线外时，相邻的两圈螺旋单体之间在重叠部分内，金属箔形成接触连接，当信号在屏蔽箔中传递时，其可以直接由前一圈螺旋单体传递至后一圈螺旋单体而无需跳跃或环绕传递，达到降低屏蔽层的不连续面对芯线中的高频信号的影响的目的。

附图说明

附图1为现有技术中高频线屏蔽包带结构的结构示意图。

附图2为现有技术中高频线屏蔽包带结构的结构剖视示意图

附图3为本实用新型的一种高频线屏蔽包带结构的实施例一的一种高频线屏蔽包带结构的结构示意图。

附图4为本实用新型的一种高频线屏蔽包带结构的实施例一的一种高频线屏蔽包带结构的结构剖视示意图。

附图5为本实用新型的一种高频线屏蔽包带结构的实施例二的一种高频线屏蔽包带结构的结构示意图。

附图6为本实用新型的一种高频线屏蔽包带结构的实施例二的一种高频线屏蔽包带结构的结构剖视示意图。

附图7为本实用新型的一种高频线屏蔽包带结构采用的屏蔽箔的主视示意图。

附图8为本实用新型的一种高频线屏蔽包带结构采用的屏蔽箔的A-A截面示意图。

以上附图中：1、芯线；2、屏蔽层；4、屏蔽箔；5、本体部；6、翻折部；7、麦拉；8、金属箔；9、第一重叠导通面；10、重叠部分；11、第二重叠导通面；12、翻折线。

具体实施方式

下面结合附图所示的实施例对本实用新型作进一步描述。

实施例一：参见附图3和附图4所示。