[实用新型]用于过滤的系统

说明书

技术领域

本公开涉及用于在半导体处理期间使用的用于过滤流体的系统。

背景技术

在半导体制造工艺中减少或消除颗粒污染对于最大化产率和器件可靠性是重要的。就此而言，一般以最小化暴露于颗粒的方式处理半导体晶片。例如，通常在洁净室制造晶片，该洁净室使周围环境中的颗粒数量最小化。类似地，用于处理半导体晶片的流体通常被过滤以在向处理工具提供流体之前从流体去除颗粒。

通常，在向处理工具提供流体时过滤流体。因此，过滤器的流通过能力是选择过滤器时的重要因素。一般而言，半导体处理工具使用大量流体，并且因此需要能够以适当速率进行过滤的过滤器。

此外，为了使晶片制造设施维持高生产能力，随处理工具使用的过滤器优选地是低成本的，并且无需通常引起处理延迟的频繁维护。

鉴于上述需求，一般不使用用于过滤水的标准流体过滤器(诸如反渗透过滤器)，因为这些过滤器通常昂贵，具有低的流通过能力，并且需要频繁维护。

实用新型内容

鉴于上述问题，本实用新型的目的在于解决上述问题中至少一个或者至少一部分。

本公开涉及在半导体处理期间使用的流过滤系统。一个或多个实施例涉及用于在向诸如半导体晶片清洁工具之类的半导体晶片处理工具提供流体时从流体过滤离子和颗粒的流过滤系统和方法。

根据本实用新型的一个方面，提供一种用于过滤的系统，包括：流体源；半导体晶片制造工具；流体路径，具有与所述流体源流体连通的第一末端以及与所述半导体晶片制造工具流体连通的第二末端，所述流体路径被配置成从所述流体源向所述半导体晶片制造工具递送流体；以及双介质过滤器，位于所述流体流动路径中，并且具有壳体，所述壳体具有入口和出口，所述入口与所述流体源流体连通并且被配置成经由所述流体路径从所述流体源接收流体，所述出口与所述半导体晶片制造工具流体连通并且被配置成经由所述流体路径向所述半导体晶片制造工具提供流体，所述双介质过滤器包括位于所述壳体内的离子交换介质和颗粒过滤器介质，所述离子交换介质被配置成从所述流体去除离子，并且所述颗粒过滤器介质被配置成从所述流体去除颗粒。

优选地，所述离子交换介质位于所述壳体中的邻近所述入口的第一腔中。

优选地，所述双介质过滤器的所述入口具有倒转漏斗形状。

优选地，所述颗粒过滤器介质位于所述壳体中的邻近所述出口的第二腔中。

优选地，所述流体路径的所述第二末端与多个半导体晶片制造工具流体连通，并且其中所述双介质过滤器具有与所述多个半导体晶片制造工具流体连通的出口，所述出口被配置成经由所述流体路径向所述多个半导体制造工具提供流体。

优选地，所述双介质过滤器的所述壳体是透明的。

优选地，所述离子交换介质为被配置成从所述流体去除正电荷离子的阳离子交换介质。

优选地，所述离子交换介质是被配置成从所述流体去除负电荷离子的阴离子交换介质。

优选地，所述双介质过滤器是第一双介质过滤器并且所述离子交换介质是阳离子交换介质，所述系统还包括与所述第一双介质过滤器流体连通并且位于所述半导体晶片制造工具上游和所述第一双介质过滤器下游的第二双介质过滤器，所述第二双介质过滤器包括阴离子交换介质和颗粒过滤器介质。

根据本实用新型的另一方面，提供一种用于过滤的系统，包括：流体源；半导体晶片制造工具，被配置成接收流体；流体路径，具有与所述流体源流体连通的第一末端和与所述半导体晶片制造工具流体连通的第二末端，所述流体路径被配置成从所述流体源向所述半导体晶片制造工具递送流体；第一双介质过滤器，位于所述半导体晶片制造工具上游和所述流体源下游的所述流体路径中，所述第一双介质过滤器具有被配置成从所述流体源接收流体的入口，所述第一双介质过滤器包括被配置成从接收自所述流体源的所述流体去除离子的第一离子交换介质和被配置成从接收自所述流体源的所述流体去除颗粒的第一颗粒过滤器介质；以及第二双介质过滤器，位于所述半导体晶片制造工具上游和所述第一双介质过滤器下游的所述流体路径中，所述双介质过滤器具有被配置成从所述第一双介质过滤器接收流体的入口，所述第二双介质过滤器包括被配置成从接收自所述第一双介质过滤器的所述流体去除离子的第二离子交换介质和被配置成从接收自所述第一双介质过滤器的所述流体去除颗粒的第二颗粒过滤器介质。

优选地，所述流体源是液体。

优选地，所述第一离子交换介质是阳离子交换介质，并且所述第二离子交换介质是离子交换介质。