[实用新型]光伏发电系统有效
申请号: | 201320295348.9 | 申请日: | 2013-05-27 |
公开(公告)号: | CN203277417U | 公开(公告)日: | 2013-11-06 |
发明(设计)人: | 郭大力;孙波;张力夫;刘运北;沙川;王亮;朱光辉;邹宗育;韦永兰 | 申请(专利权)人: | 中国恩菲工程技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/052 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 宋合成;黄德海 |
地址: | 100038*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 发电 系统 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种光伏发电系统。
背景技术
现有的光伏发电系统的光伏组件需要对太阳光进行追踪,因此需要结构很复杂的驱动装置。这导致现有的光伏发电系统存在结构复杂、制造成本高的缺陷。
实用新型内容
本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本实用新型的一个目的在于提出一种光伏发电系统。
为了实现上述目的,根据本实用新型提出一种光伏发电系统,所述光伏发电系统包括:支架;光伏组件,所述光伏组件固定在所述支架上;固定基础;和用于将太阳光反射到所述光伏组件上的反射件,所述反射件固定在所述固定基础上。
根据本实用新型的光伏发电系统通过设置用于将太阳光反射到所述光伏组件上的所述反射件,从而可以提高所述光伏组件的表面光辐照量,由此可以提高所述光伏发电系统的发电效率。而且,通过将所述反射件固定在所述固定基础上,从而可以使所述光伏发电系统的结构更加简单,且使所述光伏发电系统的制造难度更低、制造成本更小。
因此,根据本实用新型的光伏发电系统具有发电效率高、结构简单、制造难度低、制造成本小、占用空间小等优点。根据本实用新型的光伏发电系统适合用于大型的光伏电站中,可以减小光伏电站的占地面积。
另外,根据本实用新型的光伏发电系统还可以具有如下附加的技术特征:
所述固定基础为镜架,所述反射件为反射镜。
所述固定基础为土坡,所述反射件为银粉层,所述银粉层设在所述土坡的斜面上。由此可以进一步降低所述光伏发电系统的制造成本。
所述光伏组件的下沿在上下方向上与地面的距离为500毫米-700毫米。由此可以进一步提高所述光伏发电系统的发电效率。
所述反射件的邻近所述光伏组件的边沿与所述光伏组件的下沿在左右方向上的距离大于等于120毫米。由此所述反射件可以将更多的太阳光反射到所述光伏组件上,从而可以进一步提高所述光伏发电系统的发电效率。
所述光伏组件与地面的夹角与所述光伏组件所处位置的纬度之差为10度-25度。由此可以使所述光伏组件直接地接受更多的太阳光,从而可以进一步提高所述光伏发电系统的发电效率。
所述光伏组件的长度与所述反射件的长度之比为1:1.5-2.5。由此所述反射件可以将更多的太阳光反射到所述光伏组件上,从而可以进一步提高所述光伏发电系统的发电效率。
所述反射件与所述光伏组件之间的夹角为90度-110度。由此所述反射件可以将更多的太阳光反射到所述光伏组件上,从而可以进一步提高所述光伏发电系统的发电效率。
所述土坡与所述光伏组件之间的夹角为110度-125度。由此所述反射件可以将更多的太阳光反射到所述光伏组件上,从而可以进一步提高所述光伏发电系统的发电效率。
所述土坡包括第一子坡和第二子坡,所述第二子坡的下沿与所述第一子坡的上沿相连,其中所述第一子坡与所述光伏组件之间的夹角为115度-130度,所述第二子坡与所述光伏组件之间的夹角为105度-120度。由此所述反射件可以将更多的太阳光反射到所述光伏组件上,从而可以进一步提高所述光伏发电系统的发电效率。
所述第二子坡的上沿在上下方向上与地面的距离和所述第一子坡的长度之比为1:2.5-3,所述第二子坡的上沿在上下方向上与地面的距离和所述第二子坡的长度之比为1:1.2-2.0。由此所述反射件可以将更多的太阳光反射到所述光伏组件上,从而可以进一步提高所述光伏发电系统的发电效率。
本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本实用新型的实践了解到。
附图说明
本实用新型的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解,其中:
图1是根据本实用新型的一个实施例的光伏发电系统的结构示意图;
图2是根据本实用新型的另一个实施例的光伏发电系统的结构示意图;
图3是根据本实用新型的又一个实施例的光伏发电系统的结构示意图。
具体实施方式
下面详细描述本实用新型的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,仅用于解释本实用新型,而不能理解为对本实用新型的限制。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国恩菲工程技术有限公司,未经中国恩菲工程技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201320295348.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:防震太阳能电池背膜
- 下一篇:场效应晶体管及用于场效应晶体管的边缘结构
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的