[实用新型]一种单芯片集成温度补偿的薄膜体声波谐振器

权利要求书

1.一种单芯片集成温度补偿的薄膜体声波谐振器，其特征在于，设置一个直流偏压单元为薄膜体声波谐振器提供偏压电压，所述的直流偏压单元输出端分别连接内嵌肖特基结的薄膜体声波谐振器的上、下电极，所述直流偏压单元与薄膜体声波谐振器集成在一个硅片CELL单元内。

2.如权利要求1所述的单芯片集成温度补偿的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述的薄膜体声波谐振器采用薄膜堆叠结构，包含依次堆叠于基板上集成一体的声反射层、下电极、压电层、半导体薄层以及上电极。

3.如权利要求1所述的单芯片集成温度补偿的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述的直流偏压单元为温敏电阻和普通电阻串联组成的偏压电路，并通过外接芯片电源实现直流偏压。

4.如权利要求1 所述的单芯片集成温度补偿的薄膜体声波谐振器，其特征在于，直流偏压单元是由温度敏感的电阻、普通电阻和稳压电源组成的电阻网络分压电路，或是由包含温敏电阻的电桥差动偏压电路组成。

5.如权利要求3所述的单芯片集成温度补偿的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述的温敏电阻为温度敏感的多晶硅电阻、阱电阻、n+/p+电阻或n+ poly/p+ poly 电阻。

6.如权利要求2所述的单芯片集成温度补偿的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述的声反射层是布拉格声反射层、表面气隙结构或表面牺牲层结构中的一种。

7.如权利要求1所述的单芯片集成温度补偿的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述的直流偏压单元使用普通CMOS工艺与薄膜体声波谐振器一起制备在硅片表面，所述的薄膜体声波谐振器制备在直流偏压单元的钝化层上方；薄膜体声波谐振器和直流偏压单元以及基片中的集成电路，通过垂直通孔实现电路连接。

8.如权利要求2所述的单芯片集成温度补偿的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述的压电层采用具有压电效应的压电材料，所述压电材料为ZnO、AlN、GaAs或CdS。

9.如权利要求2所述的单芯片集成温度补偿的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述的半导体薄层是载流子浓度在10¹²－10¹⁹ cm^-3的压电半导体材料。

10.如权利要求2所述的单芯片集成温度补偿的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述的半导体薄层和所述的上电极形成构成肖特基接触的势垒二极管，所述上电极为Au或Cr。