[实用新型]像素结构及液晶面板有效
| 申请号： | 201320299284.X | 申请日： | 2013-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN203241672U | 公开（公告）日： | 2013-10-16 |
| 发明（设计）人： | 王骁 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;G09G3/36 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 像素 结构 液晶面板 | ||
1.一种像素结构，包括数据线、像素电极和栅线，其特征在于，还包括串联于像素电极与数据线之间的至少两个薄膜晶体管，所述至少两个薄膜晶体管的栅极均连接于所述栅线。
2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述薄膜晶体管有两个，分别为第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的漏极与所述第二薄膜晶体管的源极相连，所述第一薄膜晶体管的源极与数据线相连，所述第二薄膜晶体管的漏极与像素电极相连。
3.如权利要求2所述的像素结构，其特征在于，所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管在相同的工艺中同步形成。
4.如权利要求2所述的像素结构，其特征在于，所述第一薄膜晶体管的漏极和源极、所述第二薄膜晶体管的漏极和源极、所述数据线均由源漏电极层形成，所述第一薄膜晶体管的有源层、所述第二薄膜晶体管的有源层均由半导体层形成，所述第一薄膜晶体管的栅极、所述第二薄膜晶体管的栅极、所述栅线均由栅线层形成。
5.如权利要求2所述的像素结构，其特征在于，所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管为形状和尺寸相同的薄膜晶体管。
6.如权利要求2所述的像素结构，其特征在于，所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的位置与栅线或数据线的位置至少部分重叠。
7.如权利要求2所述的像素结构，其特征在于，所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的栅极由所述栅线构成，所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的有源层和源极、漏极均形成于所述栅线上方。
8.如权利要求2所述的像素结构，其特征在于，所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的源极呈U形，漏极呈条状，并且源极的U形对漏极的一端形成半包围的布局。
9.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，还包括连接各像素的公共电极的公共电极线。
10.一种液晶面板，其特征在于，所述液晶面板的像素结构采用权利要求1-9任一所述的像素结构。
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