[实用新型]一种三氯氢硅新型流化床有效
申请号: | 201320300193.3 | 申请日: | 2013-05-28 |
公开(公告)号: | CN203255981U | 公开(公告)日: | 2013-10-30 |
发明(设计)人: | 郭汝轩 | 申请(专利权)人: | 重庆海洲化学品有限公司 |
主分类号: | C01B33/107 | 分类号: | C01B33/107 |
代理公司: | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人: | 赵荣之 |
地址: | 401221 重庆市长寿*** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 三氯氢硅 新型 流化床 | ||
技术领域
本实用新型属于三氯氢硅合成炉领域,具体涉及一种三氯氢硅新型流化床。
背景技术
三氯氢硅是目前生产多晶硅的重要原料,其制备方法是利用硅与氯化氢在高温下进行反应合成,而三氯氢硅流化床是制备三氯氢硅最主要的生产设备,现有的三氯氢硅流化床存在以下缺陷:
1)现有三氯氢硅流化床沉降段没有旋风分离器,未完全反应的硅粉颗粒随气流带出,造成排渣量大,容易堵塞管道,同时硅粉的消耗偏高,每吨三氯氢硅消耗硅粉约260kg。
2)流化床上部沉降段直径偏小,造成气速过快,容易带走反应热量,沉降段温度只能保持在220℃,不利于硅粉的继续反应,造成硅粉消耗高,同时产能受到影响。在保持产能的情况下,势必会提高气速,最终会影响沉降段反应温度和硅粉的转化率,造成生产成本高。
因此,有必要研究出一种三氯氢硅流化床可以有效的克服现有三氯氢硅流化床上段硅粉颗粒随气流溢出,硅粉消耗高,容易堵塞管道,同时由于沉降段气速过快,不能保持上段有效的反应温度,导致硅粉反应不完全,原材料消耗高的缺点。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型的目的是提供一种三氯氢硅新型流化床,克服了现有技术中的上述缺陷。
本实用新型的目的是通过以下技术方案实现的:
一种三氯氢硅新型流化床,包括反应段和沉降段,所述反应段设置在流化床下部,所述沉降段设置在流化床上部,所述沉降段包括一个密封罐体,所述密封罐体的上部设置有三氯氢硅出口,所述沉降段内固定设置有内置旋风分离器,所述内置旋风分离器有气体出口和固体颗粒出口,所述内置旋风分离器的固体颗粒出口通向反应段,所述内置旋风分离器的气体出口与密封罐体上部的三氯氢硅出口密封联通;
进一步,所述内置旋风分离器为两级旋风分离器;
进一步,所述沉降段密封罐体的直径大于等于3m。
本实用新型的有益效果是:本实用新型沉降段新增的旋风分离器,可以有效的将未完全反应的硅粉沉降下来继续反应,提高硅粉转化率,降低消耗和避免管道堵塞;另外,增加沉降段直径,可降低沉降段气速,避免反应热量被快速带走,保持沉降段温度,使硅粉反应更完全,降低原材料消耗。
本实用新型的其他优点、目标和特征在某种程度上将在随后的说明书中进行阐述,并且在某种程度上,基于对下文的考察研究对本领域技术人员而言将是显而易见的,或者可以从本实用新型的实践中得到教导。本实用新型的目标和其他优点可以通过下面的说明书来实现和获得。
附图说明
为了使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本实用新型作进一步的详细描述,其中:
图1为本实用新型沉降段示意图。
具体实施方式
以下将参照附图,对本实用新型的优选实施例进行详细的描述。应当理解,优选实施例仅为了说明本实用新型,而不是为了限制本实用新型的保护范围。
如图所示,一种三氯氢硅新型流化床,包括反应段和沉降段,所述反应段设置在流化床下部,所述沉降段设置在流化床上部,所述沉降段包括一个密封罐体1,所述密封罐体的上部设置有三氯氢硅出口1a,所述沉降段内固定设置有内置旋风分离器2,所述内置旋风分离器有气体出口2a和固体颗粒出口2b,所述内置旋风分离器的固体颗粒出口2b通向反应段,所述内置旋风分离器的气体出口2a与密封罐体上部的三氯氢硅出口1a密封联通。
本实施例中,沉降段新增的旋风分离器2,可以有效的将未完全反应的硅粉沉降下来继续反应,提高硅粉转化率,降低消耗和避免管道堵塞。
本实施例中,所述内置旋风分离器为两级旋风分离器;两级旋风分离器,分离效果更好。
本实施例中,所述沉降段密封罐体的直径大于等于3m;本实施例中将原来密封罐体的直径由1.2m提高到3m,增加了沉降段的直径,可降低沉降段气速,避免反应热量被快速带走,保持沉降段温度,使硅粉反应更完全,降低原材料消耗。
最后说明的是,以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案而非限制,尽管参照较佳实施例对本实用新型进行了详细说明,本领域的普通技术人员应当理解,可以对本实用新型的技术方案进行修改或者等同替换,而不脱离本技术方案的宗旨和范围,其均应涵盖在本实用新型的权利要求范围当中。
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