[实用新型]场效应晶体管及用于场效应晶体管的边缘结构

权利要求书

1.一种场效应晶体管，其特征在于，包括：

衬底，包括有效单元区域和边缘区域，所述边缘区域位于所述有效单元区域的外围；

多个晶体管单元，形成于所述有效单元区域中，其中每个晶体管单元包括漏区、栅区、有效体区和源区，所述源区位于所述有效体区中，且与所述栅区横向相邻地形成于所述栅区的两侧；

悬浮体区，位于所述边缘区域中；以及

多个槽型隔离单元，形成于所述边缘区域中，由所述边缘区域的内侧向所述边缘区域的外侧方向依次排布；其中：

每个槽型隔离单元包括形成于第一型沟槽中的介电层和导电层，该介电层布于该第一型沟槽的侧壁和底部，该导电层填充布有该介电层的该第一型沟槽；

所述多个槽型隔离单元中最靠近所述边缘区域内侧的起始槽型隔离单元将所述有效体区与所述悬浮体区隔离，使所述悬浮体区电悬浮；并且

所述起始槽型隔离单元与所述晶体管单元的栅区电耦接，其余槽型隔离单元电悬浮。

2.如权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于：

所述衬底具有第一导电类型；

所述有效体区和所述悬浮体区具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型；

所述源区，具有所述第一导电类型；

所述漏区，位于所述衬底中，具有所述第一导电类型。

3.如权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于所述栅区配置为槽型栅区，包括形成于第二型沟槽中的栅介电层和栅导电层，该栅介电层布于该第二型沟槽的侧壁和底部，该栅导电层填充布有该栅介电层的该第二型沟槽。

4.如权利要求3所述的场效应晶体管，其特征在于，进一步包括：

至少一个槽型栅总线单元，与所述槽型栅区电连接，包括形成于第三型沟槽中的总线介电层和总线导电层，该总线介电层布于该第三型沟槽的侧壁和底部，该总线导电层填充布有该总线介电层的该第三型沟槽；其中，所述第三型沟槽具有比所述第二型沟槽相对较宽的横向宽度。

5.如权利要求4所述的场效应晶体管，其特征在于：

所述起始槽型隔离单元的所述第一型沟槽具有比所述第二型沟槽相对较宽的横向宽度；并且

所述起始槽型隔离单元与所述槽型栅总线单元电耦接，通过该槽型栅总线单元电耦接至所述槽型栅区。

6.如权利要求4所述的场效应晶体管，其特征在于，进一步包括：

层间介电层，位于所述衬底上表面；和

栅金属层，位于所述层间介电层上表面，通过形成于所述层间介电层中的第一通孔电连接接至所述总线导电层，并通过形成于所述层间介电层中的第二通孔电连接至所述起始槽型隔离单元的导电层。

7.如权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于所述衬底包括基底层和位于基底层上的外延层，所述外延层具有比所述基底层相对较低的掺杂浓度，所述基底层配置为所述漏区。

8.如权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于所述多个槽型隔离单元中与所述起始槽型隔离单元相邻的第二槽型隔离单元也电耦接所述栅区，其余槽型隔离单元电悬浮。

9.如权利要求1或8所述的场效应晶体管，其特征在于所述其余槽型隔离单元以分组的方式相互耦接，构成多组电悬浮的槽型隔离单元组。

10.如权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于进一步包括：

至少一个RESURF区，位于所述边缘区域的比所述起始槽型隔离单元更内侧的部分中；并且

所述RESURF区具有与所述悬浮体区相反的导电类型，并具有比所述悬浮体区相对较浅的掺杂深度。

11.如权利要求10所述的场效应晶体管，其特征在于所述起始槽型隔离单元与所述栅区的电耦接断开。

12.如权利要求10所述的场效应晶体管，其特征在于所述至少一个RESURF区为一个RESURF区，该一个RESURF区与所述起始槽型隔离单元的侧壁接触。

13.如权利要求10所述的场效应晶体管，其特征在于所述至少一个RESURF区为多个RESURF区，该多个RESURF区相互分离排布，并且靠近所述起始槽型隔离单元的RESURF区与所述起始槽型隔离单元的侧壁分离。