[实用新型]发光二极管像素单元电路和显示面板

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种发光二极管像素单元电路和显示面板。 

背景技术

有源矩阵有机发光二极管（AMOLED，Active Matrix-Organic Light Emitting Diode）显示面板相比传统的液晶面板，具有反应速度较快、对比度更高、视角较广等特点。AMOLED显示面板的像素依靠阵列（Array）基板上相关驱动电路驱动发光显示，参见图1，图1为现有技术中2T1C像素驱动电路。从图1中可以看出，现有技术中2T1C像素驱动电路包括两个薄膜晶体管（TFT，Thin-Film Transistor）和1个电容，其中，薄膜晶体管M1起到开关作用，用于控制数据线与薄膜晶体管DTFT的栅极的连接，薄膜晶体管DTFT为驱动薄膜晶体管，其在饱和状态下能够产生驱动电流，驱动OLED发光。图2为图1所示像素驱动电路的扫描信号G(n)与数据线上的灰阶电压信号Vd的时序图，当扫描信号为低电平时，薄膜晶体管M1导通，数据线上的灰阶电压Vd对电容C充电，当扫描信号为高电平时，薄膜晶体管T1截止，电容C用于保存灰阶电压。由于电源正电压VDD电位较高，因此DTFT处于饱和状态，此时，OLED的驱动电流I为： 

I=K(Vsg-|Vth|)²=K(VDD-Vd-|Vth|)²

其中，Vsg为DTFT的栅源电压，Vth为DTFT的阈值电压，VDD为电源正电压，Vd为数据线上的灰阶电压，K是一个与晶体管尺寸和载流子迁移率有关的常数，一旦TFT尺寸和工艺确定，K确定。 

但是在实际生产工艺过程中，即便是使用相同的工艺参数，制作出来的面 板不同位置的TFT的阈值电压也可能有较大差异，使得所述不同位置的TFT的临界饱和电压也不同，导致在同一灰阶电压下OLED的驱动电流不一样，使得采用该电路的显示面板不同的位置亮度会有差异，亮度均一性差。 

实用新型内容

本实用新型实施例提供了一种发光二极管像素单元电路和显示面板，用以解决因薄膜晶体管的阈值不同所导致的显示面板亮度不均的问题。 

本实用新型实施例提供了一种发光二极管的像素单元电路，所述电路包括驱动模块和发光二极管，其中，所述驱动模块包括：驱动薄膜晶体管、第一开关元件、第一电容、第二电容和驱动控制单元；其中， 

所述驱动薄膜晶体管，其栅极连接第一节点，源极连接电源正电压输出端，漏极连接发光二级管的阳极； 

所述发光二级管的阴极连接电源负电压输出端； 

所述第一电容位于第一节点与第一开关元件之间； 

所述第二电容位于电源正电压输出端和第一节点之间； 

所述第一开关元件串联在第一电容和数据线之间； 

所述驱动控制单元包括阈值电压与所述驱动薄膜晶体管的阈值电压相匹配的匹配管，位于电源正电压输出端和第一节点之间，用于通过控制所述第二电容充放电，保存与驱动薄膜晶体管阈值电压相等的位于驱动控制单元中的匹配管的阈值电压并以此补偿所述驱动薄膜晶体管的阈值电压。 

较佳的，所述驱动控制单元包括第二开关元件和第三开关元件；其中，所述第二开关元件串联在电源正电压输出端和第二节点之间；所述第三开关元件串联在第一节点和作为驱动控制单元第一连接端的第二节点之间。 

较佳的，所述驱动电路还包括感应模块，所述感应模块包括：第四开关元件、第五开关元件、第三电容、放大薄膜晶体管和感应元件；其中，所述第四开关元件串联在第二节点和放大薄膜晶体管的栅极之间；所述第五开关元件串 联在放大薄膜晶体管的漏极和感应线之间；所述第三电容串联在放大薄膜晶体管的栅极与第五开关元件的控制端之间；所述感应元件连接所述放大薄膜晶体管的栅极；所述驱动控制单元通过控制感应模块第三电容充放电，使得感应模块中的触摸信号通过感应模块中的放大薄膜晶体管得以放大。 

较佳的，所述开关元件均为薄膜晶体管；具体的，所述第一开关元件为第一薄膜晶体管，所述第二开关元件为第二薄膜晶体管，所述第三开关元件为第三薄膜晶体管，所述第四开关元件为第四薄膜晶体管，所述第五开关元件为第五薄膜晶体管，具体的： 

所述第一薄膜晶体管，其栅极连接本行像素的扫描信号，源极连接数据线，漏极与第一电容的一端连接； 

所述第二薄膜晶体管，其栅极连接本行像素的控制信号，源极连接电源正电压输出端，漏极连接第三薄膜晶体管的源极； 

所述第三薄膜晶体管，其栅极与漏极同时连接第一节点，源极与第二薄膜晶体管的漏极连接；