[实用新型]光学平移器快速线性驱动电路有效

专利信息
申请号: 201320302585.3 申请日: 2013-05-29
公开(公告)号: CN203261294U 公开(公告)日: 2013-10-30
发明(设计)人: 胡羿云 申请(专利权)人: 成都迈科高技术开发有限责任公司
主分类号: H03F3/08 分类号: H03F3/08
代理公司: 四川省成都市天策商标专利事务所 51213 代理人: 刘兴亮
地址: 610000 *** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 光学 平移 快速 线性 驱动 电路
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及逆变电路技术,具体涉及一种光学平移器快速线性驱动电路。

背景技术

PZT光学平移器是一种用于轴向微位移控制的光学器件,通过控制其两端电压可精密调节其轴向位置。本实用新型公开的PZT光学平移器快速线性驱动电路,旨在提供PZT光学平移器的轴向位置快速线性扫描。

实用新型内容

本实用新型克服了现有技术不能实现对PZT光学平移器快速线性充电的不足,提供一种采用晶体管获得放大的驱动电流,实现了对PZT光学平移器快速线性充电以实现其快速的线性位移。

本实用新型采用以下技术方案:

一种光学平移器快速线性驱动电路,包括驱动电流放大电路模块和线性驱动电路模块,所述驱动电流放大电路模块与所述线性驱动电路模块连接,所述驱动电路放大模块包括光电耦合器,所述光电耦合器上连接有晶体管,所述线性驱动电路模块由第一场效应管和第二场效应管串联构成。

更进一步的技术方案是,所述第一场效应管上连接有第一直流偏压电路,所述第一直流偏压电路包括第一电容、第一二极管和第一电阻,所述第一电容与所述第一二极管并联后与第一电阻串联。

更进一步的技术方案是,所述第二场效应管上连接有第二直流偏压电路,所述第二直流偏压电路包括第二电容、第二二极管和第二电阻,所述第二电容与所述第二二极管并联后与第二电阻串联。

更进一步的技术方案是,所述第一电容和所述第二电容为独石电容。

更进一步的技术方案是,所述第一二极管和所述第二二极管为齐纳二极管。

更进一步的技术方案是,所述晶体管为PNP型晶体三极管。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:

通过采用晶体管获得放大的驱动电流,实现了对PZT光学平移器快速线性充电以实现其快速的线性位移。

附图说明

图1为本实用新型一种光学平移器快速线性驱动电路结构框图。

如图1所示,其中对应的附图标记名称为:

101驱动电流放大电路模块,102线性驱动电路模块。

图2为本实用新型一种光学平移器快速线性驱动电路的电路原理图。

图3为本实用新型一种光学平移器快速线性驱动电路的电路工作波形图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作进一步阐述。

如图1、图2和图3所示一种光学平移器快速线性驱动电路,包括驱动电流放大电路模块101和线性驱动电路模块102,所述驱动电流放大电路模块101与所述线性驱动电路模块102连接,所述驱动电路放大模块101包括光电耦合器U1,所述光电耦合器U1上连接有晶体管T3(优选的,所述晶体管T3为PNP型晶体三极管),所述线性驱动电路模块由第一场效应管T1和第二场效应管T2串联构成。

所述第一场效应管T1上连接有第一直流偏压电路,所述第一直流偏压电路包括第一电容C1(优选的所述第一电容C1为独石电容)、第一二极管ZD1(优选的所述第一二极管ZD1为齐纳二极管)和第一电阻R1(优选的所述第一电阻R1为金属氧化膜电阻),所述第一电容C1(优选的所述第一电容C1为独石电容)与第一二极管ZD1(优选的所述第一二极管ZD1为齐纳二极管)并联后与第一电阻R1(优选的所述第一电阻R1为金属氧化膜电阻)串联。

所述第二场效应管T1上连接有第二直流偏压电路,所述第二直流偏压电路包括第二电容C2(优选的所述第二电容C2为独石电容)、第二二极管ZD2(优选的所述第二二极管ZD2为齐纳二极管)和第二电阻R2(优选的所述第二电阻R2为金属氧化膜电阻),所述第二电容C2(优选的所述第二电容C2为独石电容)与第二二极管ZD2(优选的所述第二二极管ZD2为齐纳二极管)并联后与第二电阻R2(优选的所述第二电阻R2为金属氧化膜电阻)串联。

本电路的工作原理如下:

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