[实用新型]一种彩膜基板及显示装置有效
申请号: | 201320302904.0 | 申请日: | 2013-05-29 |
公开(公告)号: | CN203299490U | 公开(公告)日: | 2013-11-20 |
发明(设计)人: | 张千;黄东升;刘英;庞鲁;王羽佳 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/1335 | 分类号: | G02F1/1335;G02F1/1343 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人: | 张颖玲;孟桂超 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 彩膜基板 显示装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,尤其涉及一种彩膜(Color Filter,CF)基板及显示装置。
背景技术
在液晶显示装置中,广泛地使用CF基板来实现彩色图像的显示、反射率的降低、对比度的调整、以及光谱特征的控制等目的。目前在薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,TFT-LCD)行业中,根据CF基板内侧(即靠近液晶层的一侧)是否覆盖有透明导电层可以将CF基板分为两类,一类CF基板内侧整体覆盖有透明导电层,另一类CF基板内无透明导电层。前一类CF基板内的透明导电层作为驱动液晶(Liquid Crystal,LC)分子偏转的公共电极,主要用于扭曲向列(Twisted Nematic,TN)型、垂直配向(Vertical Alignment,VA)型等盒间电场驱动模式的TFT-LCD产品;后一类主要用于共平面切换(In-Plane Switching,IPS)型、高级超维场转换(Advanced super Dimension Switch,ADS)型等TFT面内电场驱动模式的TFT-LCD产品。
其中,ADS型通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场,使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转,从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质,具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(Push Mura)等优点。
现有的TFT-LCD产品存在两种无法修复的不良现象:第一种是由于阵列基板和CF基板对位偏移超标,导致着色像素边缘漏光;第二种由于封框胶污染、LC受热变性、以及阵列基板上的透明导电层图案(Pattern)偏移等多种因素影响,导致着色像素边缘液晶分子反应延迟,引起画面切换时产生残影不良。上述两种不良一旦在量产中出现,损失往往较大,并且无法修复。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型的主要目的在于提供一种CF基板及显示装置,能够有效避免着色像素边缘的漏光和残影不良。
为达到上述目的,本实用新型的技术方案是这样实现的:
本实用新型提供了一种CF基板,所述CF基板包括衬底基板,所述衬底基板上设置有黑色矩阵和着色像素;在所述黑色矩阵和所述着色像素的上方设置有透明导电层,所述透明导电层包括:多条第一走向的第一条形图案,且所述第一条形图案间隔地位于所述黑色矩阵的正上方。
上述方案中,所述透明导电层还包括:与所述第一条形图案相连接的第二走向的第一边缘图案,所述第一条形图案和所述第一边缘图案相交,且所述第一边缘图案位于所述黑色矩阵的正上方。
上述方案中,在所述黑色矩阵和所述着色像素与所述透明导电层之间还设置有平坦层。
上述方案中,所述透明导电层的材质为氧化铟锡(Indium Tin Oxide,ITO)或氧化铟锌(Indium Zinc Oxide,IZO)。
上述方案中,所述衬底基板为玻璃基板、石英基板、或塑料基板。
上述方案中,所述CF基板为IPS型或ADS型时,所述第一条形图案的宽度小于正对的所述黑色矩阵的宽度。
上述方案中,所述CF基板为TN型或VA型时,所述透明导电层还包括:多条间隔地位于所述着色像素正上方的第一走向的第二条形图案,以及位于所述黑色矩阵正上方的第二走向的第二边缘图案,且所述第二条形图案和所述第二边缘图案相交。
上述方案中,所述第一条形图案的宽度为正对的所述黑色矩阵宽度的三分之一;和/或,所述第一条形图案与相邻的所述第二条形图案形成的狭缝的宽度均为正对的所述黑色矩阵宽度的六分之一;和/或,位于所述着色像素和所述黑色矩阵重叠区域正上方的所述第二条形图案的宽度为正对的所述黑色矩阵宽度的六分之一。
本实用新型还提供了一种显示装置,所述显示装置包括阵列基板和上述的CF基板。
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