[实用新型]静电防护结构及平板X射线图像探测器

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种平板X射线图像探测器，特别是应用于所述探测器中的静电防护结构。

背景技术

平板X射线探测器形成于一平整的衬底上，包括具有光敏成像元件的像素阵列。所述像素阵列包括多个TFT开关元件，多条行地址线（数据线）和多条列地址线（扫描线）；如大多数微电路装置一样，由于基板运送，设备接触及操作人员接触等因素会引入静电，产生静电电压。静电电压在短时间内会释放远远超过探测器内部器件工作能力的大电流，使得这些阵列中的元件受到静电放电的破坏，造成击穿，特别是在行地址线与列地址线的交叠位置，一旦被击穿便难以修复，从而影响产品质量和良率。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供了一种静电防护结构以及一种平板X射线图像探测器，其有效避免了由于现有技术的限制和缺陷导致的一个或更多的问题。

本实用新型解决上述技术问题所采用的技术方案之一为：一种静电防护结构，其包括：第一电极线和第二电极线，所述第一电极线包括至少两个分支，所述第一电极线的所述至少两个分支与所述第二电极线交叠，形成至少两个交叠区域；所述第二电极线包括主线和设于所述交叠区域中任意之一的凸出部。

本实用新型解决上述技术问题所采用的技术方案之二为：一种平板X射线图像探测器，其包括本实用新型技术方案之一所述的静电防护结构。

本实用新型提供了一种静电防护结构及具有该结构的平板X射线图像探测器，使得电线交叠位置的电线在静电击穿发生时还能正常工作。静电击穿发生时，只有部分电线被损坏，隔离损坏的电线，而未被损坏的电线正常使用。

附图说明

图1为本实用新型第一实施例中静电防护结构的示意图。

图2为本实用新型第二实施例中静电防护结构的示意图。

图3为本实用新型第三实施例中静电防护结构的示意图。

图4为本实用新型中平板X射线图像探测器的示意图。

附图标记说明：

静电防护结构-10、10a、10b；第一电极线-12、12a、12b；第一电极线第一分支-122、122a、122b；第一电极线第二分支-122'、122a'、122b'；第二电极线-14、14a、14b；主线-142、142a、142b；主线分支-1422b、1422b'；凸出部-144、144a、144b；凸出部子分支-1442a、1442b；第一交叠区域-16、16a、16b；第二交叠区域-16'、16a'、16b'；第三交叠区域-16a''、16b''；第四交叠区域-16b'''；平板X射线图像探测器-100；像素阵列-20；公共电极线-30；数据线外围电路-40；扫描线外围电路-50；静电导入方向-F。

具体实施方式

实施例1

请参考图1的静电防护结构10。

静电防护结构10，包括第一电极线12和第二电极线14。第一电极线12与第二电极线14垂直交叉。

第一电极线12包括两个分支，分别为第一分支122和第二分支122'。第一电极线12呈矩形框状。这两个分支均与第二电极线14交叠，分别形成第一交叠区域16和第二交叠区域16'。第二电极线14包括主线142和凸出部144。凸出部144为主线142向静电导入方向F延伸形成，主线142和凸出部144交叠第一电极线12的第一分支122，形成了第一交叠区域16。

第一交叠区域16形成了保护电容，第二交叠区域16’形成了寄生电容。保护电容与寄生电容并联设置。两个电容两端的电压是一致的，根据公式：电场强度E=电压V/两极间距离D，在电容中介质材料相同的情况下，两极间距离D越小，电场E越大，电容越容易被击穿。因此当静电沿着方向F导入时，由于第二电极线14的凸出部144的距离更靠近静电导入端，凸起部144将先充电，当发生静电击穿时，保护电容在短时间内将承受高电压，该电压高于该保护电容所能承受的电压，使得第一交叠区域16的保护电容被击穿，从而释放了静电，保护了第二交叠区域16'的寄生电容，第一电极线12仍可正常工作。

本实施例所提供的静电防护结构10，将第一电极线12分成两个分支122和122'，从而可有效降低第一电极线被整体静电击穿的几率；在第二电极线14上增设了凸出部144，所述凸出部144靠近静电导入方向F，因此，若发生静电击穿，会击穿第一交叠区域16的保护电容，仅损坏第一电极线12的第一分支122，保护了第一电极线12的第二分支122'，将第一分支122隔离后，并不影响第一电极线12的正常使用。

实施例2