[实用新型]一种三相整流桥

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体器件，特别是一种三相整流桥。 

背景技术

现有技术的三相整流桥通常如图1-3所示，由设于铝基覆铜板上，且按三相整流桥电路连接的两个铜片、六个二极管芯片和六个引出电极构成。所述两铜片中一对二极管芯片顶面连桥为半圆环形导电桥，并且该半圆形导电桥连接一引出电极。 

由于上述普通述三相整流桥两铜片中一对引出电极底部设为半圆环形连桥，在生产封装时，其半圆环形连桥两端对二极管芯片顶面产生的作用力不均衡；工作时其连桥对二极管芯片顶面产生的应力作用也不均衡，从而使得该半圆环形连桥相接的两二极管芯片易受损害。而且由于上述半圆环形导电桥截面积较少，当选用大功率二极管芯片时，将会导致该半圆环形连桥温度相对过高，使二极管芯片烧毁，严重影响整个三相整流桥产品可靠性。 

发明内容

本实用新型为了解决上述普通三相整流桥所存在的问题，新提供一种三相整流桥，以改善两铜片中间一对二极管芯片顶面连接的引出电极底部连桥结构，使三相整流桥工作可靠性高。 

本实用新型所述的一种三相整流桥，包括设于基板上，且按三相整流桥电路连接的两个铜片、六只二极管芯片和六个引出电极，所述六只二极管芯片分别相对焊接在两铜片上，其特征是：所述两铜片中间一对二极管芯片顶面连桥为圆环形导电桥，并且该圆环形导电桥相应连接一引出电极。

进一步，所述基板为铝基覆铜板，或者由铜板和陶瓷覆铜板焊接构成。 

本实用新型的有益技术效果是：将两铜片中间一对二极管芯片顶面连桥为圆环形导电桥设为圆环形导电桥，其增加了导电截面积，并且该圆环形导电桥对相接的二极管芯片作用力较均衡，使得三相整流桥工作靠性高。 

附图说明

图１为普通三相整流桥的俯视结构示意图。 

图2为图1中半圆形导电桥结构放大示意图。 

图3为图2的俯视结构放大示意图。 

图4为本实用新型实施例的俯视结构示意图。 

图5为图4中的铜片结构放大示意图。 

图6为图4中圆形导电桥结构放大示意图。 

图7为图6俯视结构放大示意图。 

图8为本实用新型电路结构示意图。 

具体实施方式

附图标注说明：基板1、二极管芯片(2、20、21、22、23、24)、铜片3、引出电极（4、5、6、7、8）、连桥（5、51、7、70、71、8、81）、柱孔10。 

如图5-图8所示，一种三相整流桥，包括设于基板1上，且按三相整流桥电路连接的两个铜片3、六只二极管芯片(2、20、21、22、23、24)和六个引出电极（4、5、6、7、8），所述六只二极管芯片(2、20、21、22、23、24)分别相对焊接在两铜片3上，所述两铜片3中间一对二极管芯片（20、23）顶面连桥71为圆环形导电桥，并且该圆环形导电桥相应连接一引出电极7。 

所述基板1为铝基覆铜板，或者由铜板和陶瓷覆铜板焊接构成。 

在图1中，连桥70连接一对二极管芯片（20、23），并且与引出电极7电连接。 

在图5中，连桥71连接一对二极管芯片（20、23），且与引出电极7电连接；连桥81连接一对二极管芯片（2、24），且与引出电极8电连接；连桥51连接一对二极管芯片（21、22），且与引出电极5电连接。引出电极7底端与连桥81上下相隔有空间，不相互连接；引出电极4和6分别与基板1上左右分设的两铜片3电连接。 

应用时，所述基板1上按常规在其中间设有柱孔10，以及设置与该柱孔10相应的中心柱，然后采用绝缘外壳和环氧树脂封装。 

本实用新型将两铜片中间一对二极管芯片顶面连桥71设为圆环形导电桥，其导电截面积比原来半圆环形导电桥增加一倍，导电性能增强，并且该圆环形导电桥对相接的一对二极管芯片作用力较均衡。因此，整个三相整流桥工作可靠性高。 

应该理解到的是：上述实施例只是对本实用新型的说明，任何不超出本实用新型实质精神范围内的发明创造，均落入本实用新型的保护范围之内。