[实用新型]一种用于提纯铂铑贵金属的区域熔炼设备

说明书

技术领域

本实用新型涉及高纯金属的冶炼领域，尤其是一种用于提纯铂铑贵金属的区域熔炼设备。

背景技术

高纯金属物和化合物半导体是现代许多高新技术的产物，随着半导体技术、宇航、无线电电子学等的发展，对高纯金属和化合物半导体纯度的要求越来越高。

区域熔炼法，又称区域提纯。是1953年由Keek和Golay创立的。主要方法是将被提纯的材料制成长度为0.5～3m（或更长些）的细棒，通过高频感应加热,使一小段固体熔融成液态，熔融区液相温度仅比固体材料的熔点高几度，稍加冷却就会析出固相。熔融区沿轴向缓慢移动（每小时几至十几厘米）。杂质的存在一般会降低纯物质的熔点，所以熔融区内含有杂质的部分较难凝固，而纯度较高的部分较易凝固，因而析出固相的纯度高于液相。随着熔融区向前移动，杂质也随着移动，最后富集于棒的一端，予以切除。一次区域熔炼往往不能满足所要求的纯度，通常须经多次重复操作，或在一次操作中沿细棒的长度依次形成几个熔融区。

但现有的区域熔炼设备由于大多使用石英坩埚，使得还未达到待提纯金属的熔点温度，坩埚就已经开始熔化，造成提纯失败。

实用新型内容

为解决现有技术中出现的问题，本实用新型的目的是提供一种用于提纯铂铑贵金属的区域熔炼设备，能解决由于铂铑贵金属的熔点高，造成提纯失败的问题。

本实用新型通过如下技术方案实现：

一种用于提纯铂铑贵金属的区域熔炼设备，包括电控装置、机座、熔件加热槽、加热装置和隔热套管，所述熔件加热槽固定在机座支架上，所述加热装置套设于熔件加热槽外部，所述加热装置外部设有隔热套管，所述熔件加热槽两端与隔热套管相连接，所述熔件加热槽为金属瓷舟，所述电控装置与隔热套管一端相连接。

进一步的，所述加热装置由若干个绕制而成的高频加热线圈连接组成。

进一步的，所述金属瓷舟中金属为铬、钨、钼中的一种或其合金。

本实用新型的有益效果在于：使用了含有金属铬、钨、钼中的一种或其合金的瓷舟，避免了因待熔炼的温度过高，造成装有贵金属的坩埚先于贵金属熔化的问题。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图.

具体实施方式

为了使本实用新型的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合附图具体实施例对本实用新型做进一步阐述。

如图所示，一种用于提纯铂铑贵金属的区域熔炼设备，包括电控装置1、机座2、熔件加热槽3、加热装置4和隔热套管5，熔件加热槽3固定在机座2上，加热装置4套设于熔件加热槽3外部，加热装置4外部设有隔热套管5，熔件加热槽3两端与隔热套管5相连接，熔件加热槽3为金属瓷舟，电控装置1与隔热套管5一端相连接，加热装置4由若干个绕制而成的高频加热线圈连接组成，金属瓷舟中金属为铬、钨、钼中的一种或其合金。

以上显示和描述了本实用新型基本原理和主要特征及优点。本行业的技术人员应该了解，以上所述仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所做的等效变换，直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。