[实用新型]一种太阳能硅片扩散炉有效
申请号: | 201320311610.4 | 申请日: | 2013-05-31 |
公开(公告)号: | CN203250776U | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 李春强;郑安;柳渊博;吕海强 | 申请(专利权)人: | 浙江金乐太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C30B31/18 |
代理公司: | 余姚德盛专利代理事务所(普通合伙) 33239 | 代理人: | 胡小永 |
地址: | 315201 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能 硅片 扩散 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池制造设备技术领域,具体涉及一种太阳能硅片扩散炉。
背景技术
太阳能作为一种清洁能源,正日益得到广泛的应用。硅片是太阳能产业中最为重要的元件,硅片在生产流程中需要经过多道处理工序,以便保证硅片的光电转换效果。在制备过程中,扩散是制备PN结的重要工艺过程,现有技术采用高温管式扩散炉来完成这一过程,其存在结构设计复杂,使用不便,成品率不高。
实用新型内容
(一)要解决的技术问题
本实用新型要解决的技术问题是提供一种太阳能硅片扩散炉,解决现有的扩散炉结构设计复杂,使用不便,成品率不高等问题。
(二)技术方案
为解决上述技术问题,本实用新型所采用的技术方案是:一种太阳能硅片扩散炉,包括炉体和石英舟,所述炉体一端设有进气口,所述炉体侧壁上设有出气口,所述出气口处设有风阀,所述炉体内设有气压传感器,所述气压传感器用于检测所述炉体内气压并控制所述风阀的出风量。
所述石英舟包括底架条以及设于该底架条两侧的边架支撑板,所述边架支撑板的外端部设有边架条,所述底架条上沿其长度方向间隔设有凹槽。
(三)有益效果
本实用新型相比较于现有技术,具有如下有益效果:由于炉体内设有气压传感器,可监控炉体内气压,并实时调节,且石英舟设计合理,制造成本低,硅片成品率高,具有实用性。
附图说明
图1是本实用新型的太阳能硅片扩散炉的结构图。
图2是图1中的石英舟的结构图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例,对本实用新型的具体实施方式作进一步的详细描述。以下实施例用于说明本实用新型,但不用来限制本实用新型的范围。
如图1所示的,一种太阳能硅片扩散炉,包括炉体1和石英舟2,所述炉体1一端设有进气口3,所述炉体1侧壁上设有出气口4,所述出气口4处设有风阀5,所述炉体1内设有气压传感器6,所述气压传感器6用于检测所述炉体1内气压并控制所述风阀5的出风量。
如图2所示的,所述石英舟2包括底架条7以及设于该底架条7两侧的边架支撑板8,所述边架支撑板8的外端部设有边架条9,所述底架条7上沿其长度方向间隔设有凹槽10。
本实用新型由于炉体内设有气压传感器,可监控炉体内气压,并实时调节,且石英舟设计合理,制造成本低,硅片成品率高,具有实用性。
当然,以上仅是本实用新型的具体应用范例,对本实用新型的保护范围不构成任何限制。除上述实施例外,本实用新型还可以有其它实施方式。凡采用等同替换或等效变换形成的技术方案,均落在本实用新型所要求保护的范围之内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的