[实用新型]一种恒流功率电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及电路技术领域，尤其是涉及一种恒流功率电路。

背景技术

实现恒流的电路或器件有很多种，比较有代表性的有三种：1、采用耗尽型功率MOS器件，栅极和源极短路，漏极作为正极，源极作为负极。该器件虽然结构简单，但是MOS器件制造工艺要求高，而且恒流值调控难度大，批量生产重复性、一致性、良率都很难控制，成本高。2、运放恒流源，使用一个运放作为反馈，恒流源的标准电路。但是该电路结构复杂，所采用的模拟双极工艺成本很高，而且实现100V以上击穿耐压难度很大。3、MOS型混合电路，该电路结构简单，恒流值可控，但是所采用的工艺十分复杂，MOS器件、二极管、三极管分别采用DMOS工艺、CMOS工艺、双极工艺，集成工艺复杂，工艺要求高，生产成本高。

实用新型内容

本实用新型解决的技术问题在于简化结构、提高可靠性。

本实用新型公开了一种恒流功率电路，包括：第一NPN型三极管、第二NPN型三极管、第三NPN型三极管、第一电阻和第二电阻；所述第一、第二和第三NPN型三极管集电极相连，并与第一电阻一端连接；第一NPN型三极管发射极与第二NPN型三极管基极连接，并与第一电阻另一端连接；第二NPN型三极管发射极与第三NPN型三极管基极连接；第二电阻一端与第三NPN型三极管发射极连接，第二电阻另一端与第一NPN型三极管基极连接。

进一步，所述第一电阻阻值为10KΩ～10KKΩ。

进一步，所述第二电阻阻值为100Ω～10KΩ。

进一步，所述第一NPN型三极管、第二NPN型三极管、第三NPN型三极管为功率管。

和现有技术相比本实用新型具有如下有益效果：

电路结构简单，只采用了制造工艺难度低的三极管和电阻，省略了MOS类制造工艺难度大的器件，器件个数少，集成工艺简单，器件可靠性高。电路中三极管的制造精度要求不高，难度低，可以采用N型硅单晶片制造，不必要采用外延片材料，制造成本很低。电路，控制其中第二三极管和第三三极管组成的达林顿管的放大倍数、第一电阻的阻值，可以对电路的恒流起始电压、恒流值随电压升高的增加值进行有目的的控制。第二电阻采用具有正温度特性的电阻工艺制造，正温度特性控制在500ppm/℃以上，通过第二电阻正温度系数控制，可使得电路的恒流值具有零温度或负温度特性。

附图说明

当结合附图考虑时，通过参照下面的详细描述，能够更完整更好地理解本实用新型以及容易得知其中许多伴随的优点，此处所说明的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，构成本实用新型的一部分，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定，其中：

图1是本实用新型实施例的电路示意图。

以下参照图1对本实用新型的实施例进行说明。

如图1所示，一种恒流功率电路，包括：第一NPN型三极管K1、第二NPN型三极管K2、第三NPN型三极管K3、第一电阻R1和第二电阻R2；所述第一、第二和第三NPN型三极管K1、K2、K3集电极相连，并与第一电阻R1一端连接；第一NPN型三极管K1发射极与第二NPN型三极管K2基极连接，并与第一电阻R1另一端连接；第二NPN型三极管K2发射极与第三NPN型三极管K3基极连接；第二电阻R2一端与第三NPN型三极管K3发射极连接，第二电阻R2另一端与第一NPN型三极管K1基极连接。第一、第二和第三NPN型三极管K1、K2、K3的集电极作为电路的正极，第一NPN型三极管K3与第二电阻R2的连接点作为电路的负极，第三NPN型三极管K3发射极与第二电阻R3的连接点作为电路恒流值的控制极，可以通过电路外部在负极与控制极之间并联电阻，对电路恒流值进行调整。

第一电阻R1为高阻值电阻，电阻值在10KΩ～10KKΩ之间。

第二电阻R2调整恒流值用，电阻值在100Ω～10KΩ之间，该电阻具有正温度系数特性。

第二NPN型三极管K2与第三NPN型三极管K3组成一个达林顿管，该达林顿管放大倍数大于100；而且该达林顿管采用3～5只三极管组合，也能达到同样效果。

第一、第二和第三NPN型三极管K1、K2、K3都采用简单的功率三极管工艺制造。

本实用新型电路封装为三端器件，第一端为电路的负极，第二端为电路的正极，第三端为电路的控制极。只使用第一端和第二端时，作为两端器件使用，恒流值由器件制造工艺决定；同时使用点三端对恒流值进行调节时，作为三端器件使用。