[实用新型]一种电路作图辅助尺有效
申请号: | 201320315671.8 | 申请日: | 2013-06-04 |
公开(公告)号: | CN203305721U | 公开(公告)日: | 2013-11-27 |
发明(设计)人: | 张泉;丁志群 | 申请(专利权)人: | 张泉 |
主分类号: | B43L7/00 | 分类号: | B43L7/00;B43L13/20 |
代理公司: | 宁波市天晟知识产权代理有限公司 33219 | 代理人: | 张文忠 |
地址: | 315016 浙江省宁波市海曙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电路 作图 辅助 | ||
1.一种电路作图辅助尺,包括辅助尺板(1),其特征是:所述的辅助尺板(1)为周边底面上至少沿一条长度边标刻有尺寸刻度(11)的直尺板,并且该辅助尺板(1)的板面上镂空刻制有电子线路作图用的常用元器件图标透孔,所述的常用元器件图标透孔至少包含有二极管图标透孔(2)、电阻图标透孔(3)、电容图标透孔(4)、PNP晶体管图标透孔(5)、NPN晶体管图标透孔(6)、电源图标透孔(7)、Vcc线标透孔(8)和Vss线标透孔(9)。
2.根据权利要求1所述的一种电路作图辅助尺,其特征是:所述的辅助尺板(1)的板面上位于辅助尺中心线上下排列分别制有一个Vcc线标透孔(8)和一个Vss线标透孔(9)。
3.根据权利要求2所述的一种电路作图辅助尺,其特征是:所述的电阻图标透孔(3)包括两个横向电阻图标透孔(31)和两个纵向电阻图标透孔(32),所述的两个横向电阻图标透孔(31)和两个纵向电阻图标透孔(32)均对称分布在辅助尺中心线的左右两侧。
4.根据权利要求3所述的一种电路作图辅助尺,其特征是:所述的二极管图标透孔(2)包括均以辅助尺中心线为对称轴分布的左横向二极管图标透孔(21)和右横向二极管图标透孔(22)以及左纵向二极管图标透孔(23)和右纵向二极管图标透孔(24),所述左横向二极管图标透孔(21)和右横向二极管图标透孔(22)的导通方向相反,所述左纵向二极管图标透孔(23)和右纵向二极管图标透孔(24)的导通方向相反。
5.根据权利要求4所述的一种电路作图辅助尺,其特征是:所述的电容图标透孔(4)包括两个横向电容图标透孔(41)和两个纵向电容图标透孔(42),所述的两个横向电容图标透孔(41)和两个纵向电容图标透孔(42)均对称分布在辅助尺中心线的左右两侧。
6.根据权利要求5所述的一种电路作图辅助尺,其特征是:所述的电源图标透孔(7)包括以辅助尺中心线为对称轴左右对称分布的左纵向电源图标透孔(71)和右纵向电源图标透孔(72)。
7.根据权利要求6所述的一种电路作图辅助尺,其特征是:所述的PNP晶体管图标透孔(5)包括刻制在辅助尺中心线右侧的横向PNP晶体管图标透孔(51)和纵向PNP晶体管图标透孔(52),所述的NPN晶体管图标透孔(6)包括刻制在辅助尺中心线左侧的横向NPN晶体管图标透孔(61)和纵向NPN晶体管图标透孔(62),所述的横向PNP晶体管图标透孔(51)与横向NPN晶体管图标透孔(61)以及纵向PNP晶体管图标透孔(52)与纵向NPN晶体管图标透孔(62)呈对称分布。
8.根据权利要求6所述的一种电路作图辅助尺,其特征是:所述的PNP晶体管图标透孔(5)包括刻制在辅助尺中心线左侧的横向PNP晶体管图标透孔(51)和纵向PNP晶体管图标透孔(52),所述的NPN晶体管图标透孔(6)包括刻制在辅助尺中心线右侧的横向NPN晶体管图标透孔(61)和纵向NPN晶体管图标透孔(62),所述的横向PNP晶体管图标透孔(51)与横向NPN晶体管图标透孔(61)以及纵向PNP晶体管图标透孔(52)与纵向NPN晶体管图标透孔(62)呈对称分布。
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