[实用新型]抗电压跌落补偿装置

权利要求书

1.一种抗电压跌落补偿装置，其特征在于，包括：

储能元件（3）；

整流电路（2），与所述储能元件（3）相连接，用于将电网电压（1）的交流电整流后传输给所述储能元件（3）进行存储；

逆变电路（4），与所述储能元件（3）相连接，用于将所述储能元件（3）的电能逆变成交流电输出给负载（8）；以及

微处理器控制电路（5），与所述整流电路（2）和所述逆变电路（4）相连接，用于提供控制信号。

2.根据权利要求1所述的抗电压跌落补偿装置，其特征在于，所述储能元件（3）为电解电容器。

3.根据权利要求1所述的抗电压跌落补偿装置，其特征在于，所述整流电路（2）包括：

第一二极管（16），第二二极管（17），第三二极管（18），第四二极管（19），所述第一二极管（16），所述第二二极管（17），所述第三二极管（18），所述第四二极管（19）采用桥式整流结构相连接，

其中：

所述第一二极管（16）的阳极连接至所述电网电压（1）的火线（L），阴极连接至所述储能元件（3）的正极；

所述第二二极管（17）的阳极连接至所述电网电压（1）的零线（N），阴极连接至所述储能元件（3）的正极；

所述第三二极管（18）的阳极连接至所述储能元件（3）的负极，阴极连接至所述电网电压（1）的火线（L），并与所述第一二极管（16）的阳极相连接；以及

所述第四二极管（19）的阳极连接至所述储能元件（3）的负极，阴极连接至所述电网电压（1）的零线（N），并与所述第二二极管（17）的阳极相连接。

4.根据权利要求3所述的抗电压跌落补偿装置，其特征在于，所述逆变电路（4）包括：

第一IGBT管（12），第二IGBT管（13），第三IGBT管（14）以及第四IGBT管（15），所述第一IGBT管（12），所述第二IGBT管（13），所述第三IGBT管（14）以及所述第四IGBT管（15）采用单相桥式结构，

其中：

所述第一IGBT管（12）的集电极与所述第一二极管（16）的阴极相连接，发射极与所述第一二极管（16）的阳极相连接，栅极与所述微处理器控制电路（5）相连接；

所述第二IGBT管（13）的集电极与所述第二二极管（17）的阴极相连接，发射极与所述第二二极管（17）的阳极相连接，栅极与所述微处理器控制电路（5）相连接；

所述第三IGBT管（14）的集电极与所述第三二极管（18）的阴极相连接，发射极与所述第三二极管（18）的阳极相连接，栅极与所述微处理器控制电路（5）相连接；

所述第四IGBT管（15）的集电极与所述第四二极管（19）的阴极相连接，发射极与所述第四二极管（19）的阳极相连接，栅极与所述微处理器控制电路（5）相连接。

5.根据权利要求3所述的抗电压跌落补偿装置，其特征在于，还包括：

第一双向晶闸管（11），连接在所述负载（8）与逆变电路（4）之间，所述第一双向晶闸管（11）的T2极与所述电网电压（1）的零线（N）相连接，T1极与所述第二二极管（17）的阳极和第四二极管（19）的阴极相连接，控制极与微处理器控制电路（5）相连接；以及

电感（10），与所述第一双向晶闸管（11）并联。

6.根据权利要求1所述的抗电压跌落补偿装置，其特征在于，还包括：

第二双向晶闸管（9），连接在所述负载（8）与所述电网电压（1）之间，所述第二双向晶闸管（9）的T2极与所述电网电压（1）的零线（N）相连接，T1极与所述负载（8）相连接，控制极与微处理器控制电路（5）相连接。

7.根据权利要求1所述的抗电压跌落补偿装置，其特征在于，所述微处理器控制电路（5）包括基于DSP的数模混合结构的DSP微处理器。

8.根据权利要求7所述的抗电压跌落补偿装置，其特征在于，所述DSP微处理器包括:

DSP电源（21），用于给所述DSP微处理器提供电能；以及

PWM输出单元（22），用于输出高频驱动信号。

9.根据权利要求8所述的抗电压跌落补偿装置，其特征在于，还包括：

降压电路（24），与所述DSP电源（21）连接，用于将所述电网电压（1）和所述储能元件（3）的输出电压进行降压处理后提供给所述DSP电源（21）。

10.根据权利要求1所述的抗电压跌落补偿装置，其特征在于，还包括：

电压检测电路，与所述电网电压（1）和所述储能元件（3）相连接，用于对所述电网电压（1）的和所述储能元件（3）的输出电压进行采样。