[实用新型]导电膜

权利要求书

1.一种导电膜，包括基底及设置在基底表面上的导电层，所述导电层包括多个沿第一方向设置的第一电极和多个沿第二方向设置的第二电极，所述第一电极被所述第二电极分割成多个沿第一方向排列的第一电极块，同时所述第二电极被所述第一电极分割成多个沿第二方向排列的第二电极块，所述第一电极块和第二电极块形成阵列设置的多个交错处，其特征在于， 

在交错处，相邻两个第二电极块通过导电薄膜或导电丝线彼此连通，而相邻两个第一电极块通过沿第一方向设置的第一导电桥搭接，所述第一导电桥通过第一绝缘层与第二电极块隔离；或者在交错处，相邻两个第一电极块通过导电薄膜或导电丝线彼此连通，而相邻两个第二电极块通过沿第二方向设置的第二导电桥搭接，且所述第二导电桥通过第二绝缘层与第一电极块隔离； 

其中同一列及同一行的交错处中，分别设有至少一个第一导电桥和至少一个第二导电桥。 

2.根据权利要求1所述的导电膜，其特征在于，所述导电层由设置在所述基底表面的氧化铟锡薄膜或纳米金属薄膜蚀刻形成；或所述基底表面设有网格状沟槽，所述导电层由填充在所述网格状沟槽中的导电材料形成；或所述基底表面设置有聚合物层，所述聚合物层上设有网格状沟槽，所述导电层由填充在所述网格状沟槽中的导电材料形成。 

3.根据权利要求1所述的导电膜，其特征在于，所述第一导电桥和第二导电桥分别为氧化铟锡薄膜搭桥或金属搭桥。 

4.根据权利要求3所述的导电膜，其特征在于，所述金属搭桥为钼铝钼或铜搭桥。 

5.根据权利要求3所述的导电膜，其特征在于，所述氧化铟锡薄膜搭桥的宽度为15～25微米，所述金属搭桥的宽度为5～15微米。 

6.根据权利要求1所述的导电膜，其特征在于，所述第一电极块和第二电极块的形状分别为菱形、矩形、正六边形。 

7.根据权利要求1所述的导电膜，其特征在于，所述第一电极块和第二电极块呈包围结构，二者形状互补。 

8.根据权利要求1所述的导电膜，其特征在于，同一列和/或同一行的交错 处中，所述第一导电桥和第二导电桥彼此间隔设置。 

9.根据权利要求1所述的导电膜，其特征在于，同一列和/或同一行的交错处中，所述第一导电桥和第二导电桥交替设置，其中所述第一导电桥连续设置一个或多个，所述第二导电桥连续设置一个或多个。 

10.根据权利要求1所述的导电膜，其特征在于，所述第一绝缘层和第二绝缘层分别为正性光阻或负性光阻。