[实用新型]高压交流LED封装

说明书

技术领域

本实用新型涉及到一种LED日光灯，尤其是涉及一种高压交流LED封装。

背景技术

现在LED颗粒大都工作在3-3.5V的低正向工作电压，大约20mA-350mA的正向工作电流。低电压条件下LED必须多串联实现较高的工作电压。同时产品需要提供恒流直流的工作环境。DC电压从220V市电转化而来，电压变换必须使用开关电源技术，电源效率普遍低于80％，且造成EMI干扰，且因为使用电解电容，电源寿命低，造成整灯工作寿命低于2-3万小时。且电源变换电路复杂，可靠性下降，成本高。

实用新型内容

本实用新型的目的提供一种高压交流LED封装，提高LED的可靠性和整灯的使用寿命，降低成本。

为解决现有技术的问题，本实用新型所采用的技术方案为：

一种高压交流LED封装，包含LED模块和桥式整流电路。

LED模块包括若干LED芯片，各个LED芯片之间通过串联或并联方式连接，整体形成串并联结构。桥式整流电路包括二极管1、二极管2、二极管3和二极管4，二极管1和二极管2串联，且并联于LED模块两端，二极管3和二极管4串联，且并联于LED模块两端，形成桥式整流电路。

另一种高压交流LED封装，包含LED模块、电流可调模块和桥式整流电路。

LED模块的一端与电流可调模块串联，电流可调模块另一端与桥式整流电路并联。电流可调模块包括控制芯片，第一电阻和第二电阻，第一电阻和第二电阻并联于控制芯片。第一电阻和第二电阻任一为定值电阻或可变电阻。

本实用新型高压交流LED封装的特点是：

电气上使用20mA高压LED芯片，以多串少并的连接方式，由单个或者多个子集成单元构成一体化的发光二级管或者集成模组；物理上直接把LED芯片邦定在高效散热的陶瓷基座材料上，并具有单独的桥式整流电路和可选的恒流电路。

材料方面：

使用具有高效散热能力的低温共烧陶瓷基板。利用积层及多层线路联结技术，提供内埋孔与盲孔设计，完成复杂线路设计，在基座上预留线路，便于邦定和连接整流和恒流电路。陶瓷材料的低热膨胀系数，可应用于直接焊锡固晶，导热银柱设计提供优异散热性。

LED芯片上使用小电流高压LED芯片，减少芯片数量，实现小体积下的芯片邦定和线路连接。

附图说明

图1为本实用新型高压交流LED封装示意图；

图2为本实用新型控制芯片示意图。

具体实施方式

以下详细描述本实用新型的技术方案。本实用新型实施例仅供说明具体结构，该结构的规模不受实施例的限制。

实施例

如图1所示，本实用新型LED封装包括：LED模块1和桥式整流电路2，以及可选择加载的电流可调模块3。

LED模块1包括4件LED芯片11(可选的尺寸如：50×50和45×45和38×38)，其中各两件LED芯片串联成一组芯片组，该组串联的芯片组与另一组并联，整体形成串并联结构。电流可调模块3一端与LED模块1的一端串联。

桥式整流电路2包括二极管D1、二极管D2、二极管D3和二极管D4，二极管D1和二极管D2串联，且并联于LED模块1与电流可调模块3所成的串联电路两端，二极管3和二极管4串联，且并联于LED模块1与电流可调模块3所成的串联电路两端。二极管D1和二极管D2分别与市电连接的接线端AC1并联，二极管D3和二极管D4分别与市电连接的接线端AC2并联。

电流可调模块3包括控制芯片31和电阻R，电阻R并联于控制芯片31。本实施例所用控制芯片如图2所示，电阻R1为耐高压电阻，N1是高压N型DMOS管，耐压值可高达700V。Vin通过R1为N1提供了偏置，D1稳压二极管在N1的栅极电压高于D1击穿电压是开始工作，在加电瞬间对N1提供保护。N1工作后漏极电流流过R3，产生的电压通过偏置电阻R2作用于BJT双极型三极管Q1的基极。N1漏电流变大，R3压降加大，使Q1导通，Q1集电极电流上升，通过R1的电流加大，N1上的Vgs开始下降，阻止N1源流电流继续上升，最终稳定在电阻R3和Q1的基极导通电压共同决定的某个电流值，实现Vin电压从开启值到350V以上(最高可达700V)范围内的恒流输出。R3外并联的Radj可实现恒流值得调整。

芯片无须封装，直接绑定在LED封装的基座上。