[实用新型]一种电子级化学试剂纯化装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及化学试剂纯化设备领域，具体涉及一种电子级化学试剂纯化装置。 

背景技术

在半导体生产过程中，硅晶片常常会被不同的杂质污染，这些杂质会导致硅晶片产率下降。为了获得高质量、高产率的集成电路芯片，必须始终保持硅晶片清洁，尤其是在高温工序之前(如扩散、外延生长和化学气相沉淀)。这是因为钠、钾、镁、铁等轻金属杂质扩散并迅速移动到负电荷区域，金、银、铜等重金属杂质会在温度下降时溶入二氧化硅氧化层中，从而会影响半导体器件的性能；硼、磷、砷等杂质离子会影响扩散剂的扩散效果；微小尘埃颗粒会导致线路短路或断路等电气故障。 

因此化学试剂清洗效果好直接影响半导体器件的各种电器特性。 

实用新型内容

本实用新型的目的是针对目前电子产品清洗工序中用到的化学试剂(二甘醇胺、丙二醇甲醚醋酸酯、N-甲基吡啶烷酮、N-甲基甲酰胺)中金属含量高的弊端，提供一种利用离子交换和电渗析来去除金属离子的装置，具有对化学试剂中金属离子去除率高且成本低的特点。主要包括物料储罐、去离子交换室、循环泵、I级连续电场去离子室、II级连续电场去离子室、高离子浓度试剂储罐、低离子浓度储罐、高纯化学试剂储罐；将所述物料储罐、所述循环泵、所述去离子交换室、所述I级连续电场去离子室、所述II级连续电场去离子室、所述高离子浓度试剂储罐、所述低离子浓度储罐、所述高纯化学试剂储罐按顺序连接。 

依照本实用新型的一个方面，利用循环泵，将物料储罐中的化学试剂导入到离子交换室。 

依照本实用新型的一个方面，去离子交换室中用离子交换膜将去离子交换室隔成2个工作室。 

依照本实用新型的一个方面，去离子交换室2个工作室，分别是低离子浓度试剂室和高离子浓度试剂室。 

依照本实用新型的一个方面，从高离子浓度试剂室出来的试剂进入到高离子浓度试剂储罐中，从低离子浓度试剂室出来的试剂进入到低离子浓度试剂储罐中。 

依照本实用新型的一个方面，用循环泵将高离子浓度试剂罐中的试剂输送到I级连续电场去离子室。 

依照本实用新型的一个方面，用循环泵将低离子浓度试剂罐中的试剂输送到II级连续电场去离子室。 

本实用新型的特点是：采用高效离子交换膜将电子化学试剂处理成高离子浓度试剂和低离子浓度试剂，接着通过I级连续电场去离子室和II级连续电场去离子室，将高离子浓度试剂的离子浓度处理到10ppb以下，将低离子浓度试剂的离子浓度处理到1ppb以下，本实用新型处理效果高，处理得到的试剂纯度高；整个处理过程的自动化程度非常高，可以连续进行运行。 

附图说明

图1为本实用新型所述的一种电子级化学试剂纯化装置结构示意图。 

图中： 

1物料储罐，2阀门，3循环泵，4高离子浓度试剂储罐，5低离子浓度储罐，6去离子交换室，7高离子浓度试剂室，8低离子浓度试剂室，9I级连续电场去离子室，10Ⅱ级连续电场去离子室，11高纯化学试剂储罐， 

具体实施方式

以下结合具体实施例，对本实用新型进行详细说明。 

参考图1，本实用新型提供一种电子级化学试剂纯化装置，包括储料罐1，阀门2，循环泵3，高离子浓度试剂储罐4，低离子浓度储罐5，去离子交换室6，高离子浓度试剂室7，低离子浓度试剂室8，I级连续电场去离子室9，II级连 续电场去离子室10，高纯化学试剂储罐11，并按其顺序进行连接。 

将待处理化学试剂通过管道进入物料储罐1中，然后通过循环泵3将含有金属离子的化学试剂输送到去离子交换室6，在去离子交换室6中，通过安装在中间的离子交换膜的作用，低浓度离子的化学试剂进入一边的低离子浓度试剂室8，高浓度离子的化学试剂进入另一边的低离子浓度试剂室7，然后高浓度离子试剂和低离子浓度试剂分别进入高离子浓度试剂储罐4和低离子浓度试剂储罐5。用泵将低离子浓度试剂输送到II级连续电场去离子室10中，通过连续电场的作用，试剂中的离子进一步被去除，使试剂中的离子浓度小于1ppb，纯化后的试剂进入高纯化学试剂储罐11。另一方面，用泵将高离子浓度试剂输送到I级连续电场去离子室9，试剂中的离子被大部分去除，浓度降低到10ppb左右，然后通过泵将该纯化后的试剂输送到试剂储罐1中，进行纯化过程的重复操作。 

去离子交换室6在整个装置中所起的作用是对电子化学试剂进行离子预处理，得到高离子浓度试剂和低离子浓度试剂。