[实用新型]一种降噪及静电释放保护电路有效

专利信息
申请号: 201320325588.9 申请日: 2013-06-07
公开(公告)号: CN203491255U 公开(公告)日: 2014-03-19
发明(设计)人: 王强;戴颉;职春星 申请(专利权)人: 灿芯半导体(上海)有限公司
主分类号: H01L23/60 分类号: H01L23/60;H01L23/552
代理公司: 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 代理人: 徐雯琼
地址: 201203 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 静电 释放 保护 电路
【权利要求书】:

1.一种降噪及静电释放保护电路,用于降噪及保护电流输入及电流/电压转换电路(402)免受静电释放冲击;其特征在于,该电路包含有环形绕线电感电路(401);

所述环形绕线电感电路(401)为设置在集成电路中的环形绕线,该环形绕线电感电路(401)两端分别电路连接参考输入电流Iref与所述的电流输入及电流/电压转换电路(402);

在参考输入电流Iref与电流输入及电流/电压转换电路(402)为两个不同电压域电路时,该环形绕线电感电路(401)提供不同电压域之间的静电释放二级保护。

2.如权利要求1所述的降噪及静电释放保护电路,其特征在于,该电路还包含电路连接在所述电流输入及电流/电压转换电路(402)的偏置电压端与接地端之间的滤波电容(C1)。

3.如权利要求1或2所述的降噪及静电释放保护电路,其特征在于,该电路还包含电路连接在所述电流输入及电流/电压转换电路(402)的接地端与电流输入端之间的环形绕线寄生电容(C2)。

4.如权利要求1所述的降噪及静电释放保护电路,其特征在于,所述的环形绕线电感电路(401)设置在集成电路版图金属走线空旷区域。

5.如权利要求1所述的降噪及静电释放保护电路,其特征在于,所述的环形绕线电感电路(401)采用八角形环形绕线。

6.如权利要求1所述的降噪及静电释放保护电路,其特征在于,所述的环形绕线电感电路(401)采用多层金属绕线。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于灿芯半导体(上海)有限公司,未经灿芯半导体(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201320325588.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top