[实用新型]一种低功耗快速启动电路及电流源有效
申请号: | 201320330896.0 | 申请日: | 2013-06-07 |
公开(公告)号: | CN203313145U | 公开(公告)日: | 2013-11-27 |
发明(设计)人: | 陈莹梅;罗贤亮 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | H03K17/687 | 分类号: | H03K17/687;G05F1/56 |
代理公司: | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人: | 杨晓玲 |
地址: | 211189 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 功耗 快速 启动 电路 电流 | ||
1.一种低功耗快速启动电路,其特征在于:包括PMOS管M1、NMOS管M2、PMOS管M5、PMOS管M6和电流镜单元,所述电流镜单元包括NMOS管M3和NMOS管M4:
所述PMOS管M1的衬底、PMOS管M1的栅极和PMOS管M1的源极接直流电源VDD,所述PMOS管M1的漏极接入节点1;
所述NMOS管M2的衬底、NMOS管M2的栅极和NMOS管M2的源极接地GND,所述NMOS管M2的漏极接入节点1;
所述NMOS管M3的栅极接入节点3,所述NMOS管M3的源极接地GND,所述NMOS管M3的漏极作为该启动电路的第一输出端;
所述MOS管M4的栅极接入节点3,所述NMOS管M4的源极接地GND,所述MOS管M4的漏极接入节点4;
所述PMOS管M5的栅极作为该启动电路的第二输出端,所述PMOS管M5的源极接直流电源VDD,所述PMOS管M5的漏极接入节点2;
所述PMOS管M6的栅极接入节点2,所述PMOS管M6的源极接直流电源VDD,PMOS管M6的漏极接入节点4;
所述节点1和节点2相接,所述节点3和节点4相接。
2.一种电流源,其特征在于:包括权利要求1所述的低功耗快速启动电路和电流源单元,所述电流源单元包括PMOS管M7、PMOS管M8、NPN三极管Q9、NPN三极管Q10、电阻R1和PMOS管M11:
所述PMOS管M7的栅极接入节点5,所述PMOS管M7的源极接直流电源VDD,所述PMOS管M7的漏极接入节点7;
所述PMOS管M8的栅极接入节点5,所述PMOS管M8的源极接直流电源VDD,所述PMOS管M8的漏极接入节点8;
所述NPN三极管Q9的基极接入节点6,所述NPN三极管Q9的发射极接地GND,所述NPN三极管Q9的集电极接入节点7;
所述NPN三极管Q10的基极接入节点6,所述NPN三极管Q10的发射极通过电阻R1接地GND,所述NPN三极管Q10的集电极接入节点9;
所述PMOS管M11的栅极接入节点5,所述PMOS管M11的源极接直流电源VDD,所述PMOS管M11的漏极作为该电流源的输出端;
所述节点5和节点8相接,所述节点6和节点7相接;
所述启动电路的第一输出端接入节点9,所述启动电路的第二输出端接入节点5。
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