[实用新型]一种低功耗快速启动电路及电流源有效

专利信息
申请号: 201320330896.0 申请日: 2013-06-07
公开(公告)号: CN203313145U 公开(公告)日: 2013-11-27
发明(设计)人: 陈莹梅;罗贤亮 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: H03K17/687 分类号: H03K17/687;G05F1/56
代理公司: 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 代理人: 杨晓玲
地址: 211189 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 功耗 快速 启动 电路 电流
【权利要求书】:

1.一种低功耗快速启动电路,其特征在于:包括PMOS管M1、NMOS管M2、PMOS管M5、PMOS管M6和电流镜单元,所述电流镜单元包括NMOS管M3和NMOS管M4:

所述PMOS管M1的衬底、PMOS管M1的栅极和PMOS管M1的源极接直流电源VDD,所述PMOS管M1的漏极接入节点1;

所述NMOS管M2的衬底、NMOS管M2的栅极和NMOS管M2的源极接地GND,所述NMOS管M2的漏极接入节点1;

所述NMOS管M3的栅极接入节点3,所述NMOS管M3的源极接地GND,所述NMOS管M3的漏极作为该启动电路的第一输出端;

所述MOS管M4的栅极接入节点3,所述NMOS管M4的源极接地GND,所述MOS管M4的漏极接入节点4;

所述PMOS管M5的栅极作为该启动电路的第二输出端,所述PMOS管M5的源极接直流电源VDD,所述PMOS管M5的漏极接入节点2;

所述PMOS管M6的栅极接入节点2,所述PMOS管M6的源极接直流电源VDD,PMOS管M6的漏极接入节点4;

所述节点1和节点2相接,所述节点3和节点4相接。

2.一种电流源,其特征在于:包括权利要求1所述的低功耗快速启动电路和电流源单元,所述电流源单元包括PMOS管M7、PMOS管M8、NPN三极管Q9、NPN三极管Q10、电阻R1和PMOS管M11:

所述PMOS管M7的栅极接入节点5,所述PMOS管M7的源极接直流电源VDD,所述PMOS管M7的漏极接入节点7;

所述PMOS管M8的栅极接入节点5,所述PMOS管M8的源极接直流电源VDD,所述PMOS管M8的漏极接入节点8;

所述NPN三极管Q9的基极接入节点6,所述NPN三极管Q9的发射极接地GND,所述NPN三极管Q9的集电极接入节点7;

所述NPN三极管Q10的基极接入节点6,所述NPN三极管Q10的发射极通过电阻R1接地GND,所述NPN三极管Q10的集电极接入节点9;

所述PMOS管M11的栅极接入节点5,所述PMOS管M11的源极接直流电源VDD,所述PMOS管M11的漏极作为该电流源的输出端;

所述节点5和节点8相接,所述节点6和节点7相接;

所述启动电路的第一输出端接入节点9,所述启动电路的第二输出端接入节点5。

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