[实用新型]一种基板的走线结构及显示装置有效
申请号: | 201320331336.7 | 申请日: | 2013-06-08 |
公开(公告)号: | CN203300197U | 公开(公告)日: | 2013-11-20 |
发明(设计)人: | 时凌云;郑义;姚金明;薛子姣 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G09G3/36 | 分类号: | G09G3/36 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 张恺宁 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 结构 显示装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,尤其涉及一种基板的走线结构及显示装置。
背景技术
现有的薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)液晶显示器的制造及检测方法为:在一张较大的基板上形成若干独立的TFT像素阵列区,每个TFT像素阵列区为一个子基板;为了对沉积在基板上的TFT像素阵列区进行信号检测,用于输入测试信号的测试电路也需要随TFT像素阵列一同沉积在基板上,且该测试电路的沉积位置在基板的周围,然后即可通过该测试电路的测试输入端输入测试信号来检测基板上各个面板的电性是否有显示不良的情况发生。测试完毕后,将沉积了TFT像素阵列的基板进行切割,同时切除基板周围的测试电路,从而形成独立的子基板。
如图1所示,为现有技术中基板上形成若干独立的TFT像素阵列区的示意图,该基板包括子基板101,测试电路120;一个TFT像素阵列区对应的一个子基板101,每个子基板上分布有通过控制信号的走线SW,DR,DB,DG,Vcom;进行测试时,通过SW信号打开像素栅极,DR,DB,DG信号分别给R,G,B亚像素源极充电,通过公共电极Vcom与像素源极DR,DB,DG之间的电压差控制液晶的方向,检测TFT像素阵列区对应的面板是否有显示不良的情况。如图2a所示,为一个TFT像素阵列区对应的子基板的示意图,图中虚线部分如图2b所示,从图中可以看出,TFT像素阵列区的走线的非信号输入端直接暴露在空气中。当进行基板测试电路测试时,通常会在各种不利环境中进行测试,如高温环境,高湿环境,在这种环境中测试时,由于走线非信号输入端直接暴露在空气中,走线非信号输入端极易腐蚀,并造成短路等情况,影响该像素阵列区对应的子基板组成的液晶显示面板的显示质量,造成液晶显示面板的显示异常。并且在将基板按照独立的TFT像素阵列区进行切割,切割完成后走线的切割处直接与空气接触,走线的切割处也容易被腐蚀,产生短路等情况。
因此,现有技术中在进行基板测试时,基板的走线结构的非信号输入端直接暴露在测试环境中,极易被腐蚀,导致走线短路;切割完成后走线的切割处直接与空气接触,走线的切割处也容易被腐蚀,产生短路等情况;影响基板组成的液晶显示面板的显示质量,造成液晶显示面板的显示异常等问题。
实用新型内容
本实用新型提供了一种基板的走线结构及显示装置,以解决现有技术中基板的走线结构的非信号输入端直接暴露在空气中,极易被腐蚀,导致走线短路;切割完成后走线的切割处直接与空气接触,走线的切割处也容易被腐蚀,产生短路等情况;影响基板组成的液晶显示面板的显示质量,造成液晶显示面板的显示异常等问题。
本实用新型提供了一种基板的走线结构,该走线结构包括:
多条控制信号走线,每条控制信号走线连接一个开关,所述开关的一端与控制信号走线的信号输入端连接,另一端与控制信号走线的非信号输入端连接;
控制开关走线,与开关连接,用于在进行基板测试时,控制所述开关闭合,不进行基板测试时,控制所述开关断开。
本实用新型提供了一种显示装置,该显示装置包括本实用新型任一所述的走线结构。
本实用新型的基板的走线结构包括,多条控制信号走线,每条控制信号走线连接一个开关,开关的一端与控制信号走线的信号输入端连接,另一端与控制信号走线的非信号输入端连接;控制开关走线,与开关连接,用于在进行基板测试时,控制开关闭合,不进行基板测试时,控制开关断开;由于在每条控制信号走线连接了一个开关,并通过控制开关走线控制控制信号走线的开关,在进行基板测试时,将控制信号走线开关闭合;不进行测试时,将控制信号走线开关断开;此时走线的非信号输入端即使发生腐蚀产生短路等情况,也不会影响控制信号走线的信号输入端与开关之间的电路;同理,当进行基板切割时,由于被切割的每个子基板的每条控制信号走线的开关断开,子基板的控制信号走线的非信号输入端产生短路,也不会影响控制信号走线的信号输入端与开关之间的电路,降低了由控制信号走线的非信号输入端产生腐蚀,导致液晶显示面板的显示异常的概率。
附图说明
图1为背景技术中一种进行基板测试时基板的走线结构的示意图;
图2a为背景技术中一个TFT像素阵列区对应的子基板的示意图;
图2b为背景技术中一个TFT像素阵列区对应的子基板的局部放大示意图;
图3a为本实用新型实施例中一种子基板的走线结构的示意图;
图3b为本实用新型实施例中一种子基板的走线结构的局部放大示意图;
图4为本实用新型实施例中一种进行基板测试时基板的走线结构的示意图。
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