[实用新型]一种T形结构太赫兹滤波器有效

专利信息
申请号: 201320331588.X 申请日: 2013-06-08
公开(公告)号: CN203367450U 公开(公告)日: 2013-12-25
发明(设计)人: 张金玲;张宇;舒磊;高科;王亚驰;李晓龙 申请(专利权)人: 北京邮电大学
主分类号: H01P1/20 分类号: H01P1/20
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 徐宁
地址: 100876 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 结构 赫兹 滤波器
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及太赫兹通信领域,特别是关于一种用于太赫兹波段通信系统的T形结构太赫兹滤波器。

背景技术

太赫兹波是指频率在0.1THz到10THz范围的电磁波,介于微波与红外之间,但由于太赫兹源和探测器的限制,这一波段的研究成果比较少,因而又被称为太赫兹间隙。如今,随着技术的发展,获得宽带稳定的脉冲太赫兹源已成为一种准常规技术,太赫兹技术开始广泛应用于宽带通信、物体成像、环境监测、安全检查、医疗诊断等方面,太赫兹波独特物理特性决定了它具有重要的科研价值和广阔的应用前景。太赫兹系统主要由辐射源、探测器和各种功能器件组成。在实际应用中,由于环境噪声以及应用需要的限制,需要滤除不需要的频率范围和噪声,提高系统性能,因而作为太赫兹系统核心元件之一的太赫兹滤波器具有重要的研究价值。

目前太赫兹滤波器主要分为光子晶体太赫兹滤波器、表面等离子体太赫兹滤波器、量子阱结构太赫兹滤波器和基于频率选择表面的太赫兹滤波器。对于频率选择表面的太赫兹滤波器目前还处于研究当中,实际制作过程比较困难,成本较高,对加工工艺要求比较高。因此低成本、宽频带、易制作,具有良好频率选择性的可调谐太赫兹滤波器亟待提出。

发明内容

针对上述问题,本实用新型的目的是提供一种T形结构太赫兹滤波器,其成本低、频带宽、制作简单并且具有良好的频率选择性。

为实现上述目的,本实用新型采取以下技术方案:一种T形结构太赫兹滤波器,其特征在于:它包括太赫兹波输入端、太赫兹波输出端、T形结构排列的太赫兹波传输层和介质基底;所述T形结构排列的太赫兹波传输层通过光刻与所述介质基底连接,构成频率表面选择结构;以所述T形结构排列的太赫兹波传输层的输入端为所述太赫兹波输入端,以所述介质基底的输出端为所述太赫兹波输出端;所述T形结构排列的太赫兹波传输层包括横纵向排列的M×N个T形金属周期性结构,其中M和N均为大于30的自然数。

每个所述T形金属周期性结构均由上侧金属臂和下侧金属臂按T形状排列组成。

所述上侧金属臂的结构为矩形,长度为70~110um,宽度为10~50um;所述下侧金属臂的结构也为矩形,长度为10~50um,宽度为60~90um。

每两个相邻的所述T形金属周期性结构之间的间距为90~150um。

所述T形结构排列的太赫兹波传输层的材料为钼,所述介质基底的材料为硅。

本实用新型由于采取以上技术方案,其具有以下优点:1、本实用新型由于采用由T形结构排列的太赫兹波传输层和介质基底连接构成频率表面选择结构,因此实现了宽频带、频率选择性良好的性能。2、本实用新型由于在T形结构排列的太赫兹波传输层和介质基底之间采用了光刻加工工艺,因此简化了制作加工过程,具有易制作的优点。3、本实用新型由于在T形结构排列的太赫兹波传输层采用周期性T形结构,因此实现了结构简单,尺寸小,重量轻。本实用新型可以广泛在太赫兹波段通信系统中应用。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图;

图2是本实用新型的T形结构排列的太赫兹波传输层示意图;

图3是本实用新型的T形金属周期性结构示意图;

图4是本实用新型的性能曲线示意图,其中,虚线表示回波损耗曲线S11,实线表示插入损耗曲线S21,横轴表示太赫兹波频率,单位为THz,纵轴表示传输性能,单位为dB。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型进行详细的描述。

如图1所示,本实用新型包括太赫兹波输入端1、太赫兹波输出端2、T形结构排列的太赫兹波传输层3和介质基底4。其中T形结构排列的太赫兹波传输层3通过光刻与介质基底4连接,构成频率表面选择结构。以T形结构排列的太赫兹波传输层3的输入端为太赫兹波输入端1,以介质基底4的输出端为太赫兹波输出端2。

如图2所示,T形结构排列的太赫兹波传输层3包括横纵向排列的M×N个T形金属周期性结构5,其中M和N均为大于30的自然数。每两个相邻的T形金属周期性结构5之间的间距为90~150um。

上述实施例中,如图3所示,每个T形金属周期性结构5均由上侧金属臂6和下侧金属臂7按T形状排列组成。其中,上侧金属臂6的结构为矩形,长度为70~110um,宽度为10~50um;下侧金属臂7的结构亦为矩形,长度为10~50um,宽度为60~90um。

上述各实施例中,T形结构排列的太赫兹波传输层3的材料为钼,介质基底4的材料为硅。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京邮电大学,未经北京邮电大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201320331588.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top