[实用新型]一种基于荧光薄膜的反射接收的紫外硅基探测器有效
申请号: | 201320331931.0 | 申请日: | 2013-06-09 |
公开(公告)号: | CN203312316U | 公开(公告)日: | 2013-11-27 |
发明(设计)人: | 何梁;陶春先;张大伟;卢忠荣;洪瑞金;黄元申 | 申请(专利权)人: | 上海理工大学 |
主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232;H01L31/101;H01L31/0216 |
代理公司: | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人: | 吴宝根 |
地址: | 200093 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 荧光 薄膜 反射 接收 紫外 探测器 | ||
1.一种基于荧光薄膜的反射接收的紫外硅基探测器,其特征在于,包括石英透镜、变频反射镜、可见光增透透镜和硅基探测器,四个部件都安装在内部涂黑的密封装置中,石英透镜安装至密封装置的入射窗口处,外部光源入射通过石英透镜后,入射到镀有荧光薄膜的变频反射镜上,光经变频反射镜反射到反射镜的下方的可见光增透透镜,经可见光增透透镜聚焦到水平安装在密封装置底部的硅基探测器上。
2.根据权利要求1所述基于荧光薄膜的反射接收的紫外硅基探测器,其特征在于,所述石英透镜表面镀有一层紫外增透薄膜。
3.根据权利要求1所述基于荧光薄膜的反射接收的紫外硅基探测器,其特征在于,所述变频反射镜为平面或凹面,反射面镀有一层用于紫外发光的变频膜,反射镜平面与石英透镜射出的入射光线成倾斜角,倾斜角可调。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海理工大学,未经上海理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201320331931.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的