[实用新型]一种像素电路及显示装置有效

专利信息
申请号: 201320335528.5 申请日: 2013-06-09
公开(公告)号: CN203288217U 公开(公告)日: 2013-11-13
发明(设计)人: 尹静文;吴仲远;段立业 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G09G3/32 分类号: G09G3/32
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 像素 电路 显示装置
【权利要求书】:

1.一种像素电路,其特征在于,包括:

第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第一存储电容、第二存储电容及发光器件;

所述第一晶体管的栅极连接所述第三晶体管的第一极,其第一极连接所述第五晶体管的第二极,其第二极连接第一电压;

所述第二晶体管的栅极连接第一控制线,其第一极连接所述第四晶体管的第二极,其第二极连接所述第五晶体管的第二极;

所述第三晶体管的栅极连接所述第一控制线,其第一极连接所述第一存储电容的一端,其第二极连接可变电压;

所述第四晶体管的栅极连接第二控制线,其第一极连接数据线;

所述第五晶体管的栅极连接发光控制线,其第一极连接所述发光器件的阳极;

所述第二存储电容的一端与所述第一存储电容的另一端相连,其另一端连接所述可变电压;

所述发光器件的阴极连接第二电压。

2.根据权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管和所述第五晶体管均为N型晶体管;或,

所述第一晶体管为N型晶体管,所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管和所述第五晶体管均为P型晶体管;或,

所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管和所述第五晶体管均为P型晶体管;或,

所述第一晶体管为P型晶体管,所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管和所述第五晶体管均为N型晶体管。

3.根据权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管和所述第五晶体管的第一极均为源级,第二极均为漏级。

4.根据权利要求1或3所述的像素电路,其特征在于,所述晶体管包括耗尽型薄膜晶体管TFT或增强型TFT。

5.根据权利要求1或3所述的像素电路,其特征在于,所述发光器件为有机发光二极管。

6.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1至5中任一所述像素电路。

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