[实用新型]原边恒流控制的准单级高功率因数电路及装置

权利要求书

1.一种原边恒流控制的准单级高功率因数电路，其特征在于，包括：

整流桥，对输入的交流电源信号整流；

输入电容，其第一端连接所述整流桥的正输出端，其第二端连接所述整流桥的负输出端；

电感，其第一端连接所述输入电容的第一端；

母线电容，其第一端连接所述电感的第二端；

第一二极管，其阳极连接所述母线电容的第二端，其阴极连接所述整流桥的负输出端；

开关管，其第一功率端连接所述电感的第二端，其控制端接收外部的驱动信号；

第二二极管，其阳极连接所述开关管的第二功率端，其阴极连接所述整流桥的负输出端；

采样电阻，其第一端连接所述开关管的第二功率端；

变压器，其原边绕组的同名端与所述采样电阻的第二端相连，其原边绕组的异名端与所述母线电容的第二端相连，所述变压器与输出二极管、输出电容以及负载耦合。

2.根据权利要求1所述的准单级高功率因数电路，其特征在于，所述变压器与负载之间为隔离式耦合，所述输出二极管的阳极与所述变压器的副边绕组的异名端连接；所述输出电容的第一端连接所述输出二极管的阴极，所述输出电容的第二端连接所述变压器的副边绕组的同名端，所述输出电容配置为与所述负载并联。

3.根据权利要求1所述的准单级高功率因数电路，其特征在于，所述变压器与负载之间为非隔离式耦合，所述输出二极管的阳极与所述变压器的原边绕组的异名端连接；所述输出电容的第一端连接所述输出二极管的阴极，所述输出电容的第二端连接所述变压器的原边绕组的同名端，所述输出电容配置为与所述负载并联。

4.根据权利要求1所述的准单级高功率因数电路，其特征在于，所述开关管为功率MOSFET晶体管，所述第一功率端为所述MOSFET晶体管的漏极，所述第二功率端为所述MOSFET晶体管的源极，所述控制端为所述MOSFET晶体管的栅极。

5.根据权利要求1所述的准单级高功率因数电路，其特征在于，所述开关管为功率三极管，所述第一功率端为所述功率三极管的集电极，所述第二功率端为所述功率三极管的发射极，所述控制端为所述功率三极管的基极。

6.根据权利要求1所述的准单级高功率因数电路，其特征在于，所述开关管为源极驱动组合开关器件，包括第一MOS晶体管和第二MOS晶体管，其中，所述第一功率端为所述第一MOS晶体管的漏极，所述第二功率端为所述第二MOS晶体管的源极，所述控制端为所述第二MOS晶体管的栅极，所述第一MOS晶体管的源极连接所述第二MOS晶体管的漏极，所述第一MOS晶体管的栅极接收预设的直流电压。

7.一种原边恒流控制的准单级高功率因数装置，其特征在于，包括：

权利要求1至6中任一项所述的准单级高功率因数电路；

控制电路，其电流采样端采样获得所述采样电阻的电流信息，所述控制电路根据所述采样电阻的电流信息和所述输出二极管的导通时间信息产生驱动信号，所述驱动信号经由输出端传输至所述开关管的控制端。

8.根据权利要求7所述的准单级高功率因数装置，其特征在于，所述控制电路的电流采样端连接所述采样电阻的第一端，所述采样电阻的第二端接地；或者所述控制电路的电流采样端连接所述采样电阻的第二端，所述采样电阻的第一端接地。

9.根据权利要求7所述的准单级高功率因数装置，其特征在于，所述变压器与所述负载之间为隔离式耦合，所述变压器还包括辅助绕组，所述变压器的辅助绕组的同名端连接所述变压器的原边绕组的同名端，所述变压器的辅助绕组的异名端连接所述控制电路的关断时间端。

10.根据权利要求7所述的准单级高功率因数装置，其特征在于，所述变压器与所述负载之间为非隔离式耦合，所述变压器还包括辅助绕组，所述变压器的辅助绕组的同名端连接所述变压器的原边绕组的同名端，所述变压器的辅助绕组的异名端连接所述控制电路的关断时间端。

11.根据权利要求7所述的准单级高功率因数装置，其特征在于，所述控制电路用于输出负载恒流控制。