[实用新型]用于测量集成电路器件中的温度和电流的系统

权利要求书

1.一种单片半导体器件，其包括：

半导体器件部分；以及

传感器部分，其与半导体器件部分一起单片形成，且被配置为感测半导体器件部分的至少一个特性。

2.根据权利要求1所述的器件，其中，

半导体器件部分包括功率半导体器件部分。

3.根据权利要求2所述的器件，其中，

功率半导体器件部分包括绝缘栅双极型晶体管（IGBT）或功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）中的一个。

4.根据权利要求2所述的器件，其中，

至少一个特性包括温度或电流。

5.根据权利要求1所述的器件，其中，

传感器部分在后端制造工艺中与半导体器件部分一起单片形成。

6.根据权利要求1所述的器件，其中，

传感器部分包括薄金属层。

7.根据权利要求6所述的器件，其中，

薄金属层包括铂、镍铁、镍或磁阻（xMR）材料中的至少一个。

8.根据权利要求7所述的器件，其中，

薄金属层包括xMR传感器桥。

9.根据权利要求6所述的器件，进一步包括耦合到薄金属层的外部电阻器元件，其中，传感器部分被配置为，通过测量跨越外部电阻器元件的电流降或电压降中的一个来感测至少一个特性。

10.根据权利要求6所述的器件，其中，

传感器部分进一步包括接触层和隔离层。

11.根据权利要求1所述的器件，其中，

传感器部分通过隔离层耦合到半导体器件部分。

12.一种半导体器件，其包括：

半导体器件部分；

感测部分，其被配置为感测半导体器件部分的温度或电流中的至少一个；以及

隔离层，其被耦合在半导体器件部分与感测部分之间，使得半导体器件部分、隔离层和感测部分形成单片半导体器件。

13.根据权利要求12所述的器件，其中，

半导体器件部分包括功率半导体器件。

14.根据权利要求13所述的器件，其中，

功率半导体器件包括绝缘栅双极型晶体管（IGBT）或功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）中的一个。

15.权利要求12所述的器件，其中，

感测部分包括传感器层和接触层。

16.权利要求12所述的器件，其中，

感测部分包括传感器桥。