[实用新型]一种可产生负离子的花盆

权利要求书

1.一种可产生负离子的花盆，包括盆体，其特征在于：还包括负离子发生器，负离子发生器安装于盆体；该负离子发生器包括供电装置、低频振荡器、高频振荡器、变压整流电路和放电装置；低频振荡器的输出接至高频振荡器的输入，高频振荡器的输出通过变压整流电路接至放电装置；供电装置对低频振荡器、高频振荡器和变压整流电路进行供电。

2.根据权利要求1所述的可产生负离子的花盆，其特征在于：所述低频振荡器包括型号为NE555的第一控制芯片、第一电阻、第二电阻和第一电容，第一控制芯片的第8引脚、第4引脚分别接所述供电装置的正极，第一控制芯片的第7引脚通过第一电阻接至所述供电装置的正极，第一控制芯片的第7引脚还通过第二电阻接地；所述供电装置的负极，以及第一控制芯片的第6引脚、第2引脚和第1引脚分别接地，第一控制芯片的第5引脚通过第一电容接地；第一控制芯片的第3引脚构成所述低频振荡器的输出。

3.根据权利要求2所述的可产生负离子的花盆，其特征在于：所述高频振荡器包括型号为NE555的第二控制芯片、第三电阻、第四电阻和第二电容，第二控制芯片的第4引脚构成所述高频振荡器的输入，并与所述第一控制芯片的第3引脚相连接；第二控制芯片的第8引脚接所述供电装置的正极，第二控制芯片的第7引脚通过第三电阻接至所述供电装置的正极，第二控制芯片的第7引脚还通过第四电阻接地，第一控制芯片的第6引脚、第2引脚、第1引脚分别接地，第一控制芯片的第5引脚通过第二电容接地；第二控制芯片的第3引脚构成所述高频振荡器的输出。

4.根据权利要求2所述的可产生负离子的花盆，其特征在于：所述升压整流电路包括第三电容、第四电容、第五电容、第六电容、第五电阻、第六电阻、变压器、第一二极管和第二二极管；第三电容和第五电阻并联连接于所述高频振荡器的输出及变压器的初级线圈的其中一端之间，变压器的初级线圈的另一端接所述供电装置的正极，变压器的次级线圈的其中一端通过第五电容接至第一二极管的负极，变压器的次级线圈的另一端接至第一二极管的正极；第二二极管的正极与第一二极管的负极相连接，第二二极管的负极通过第四电容接至第一二极管的正极；第六电容和第六电阻串联连接于第二二极管的正极与所述放电装置之间。

5.根据权利要求4所述的可产生负离子的花盆，其特征在于：所述放电装置包括正电极和负电极；所述第六电容和第六电阻串联连接于所述第二二极管的正极和负电极之间，正电极接地。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的可产生负离子的花盆，其特征在于：所述供电装置为电池，电池的正极通过一开关接至所述低频振荡器、高频振荡器和变压整流电路。

7.根据权利要求6所述的可产生负离子的花盆，其特征在于：所述电池的两端之间还连接有一充电接口，且该充电接口与所述电池的正极之间连接有一第三二极管。

8.根据权利要求1所述的可产生负离子的花盆，其特征在于：所述盆体内部分隔为用于放置泥土和种植置物的内腔室和对内腔室的外侧周圈及底端进行包裹的外腔室，外腔室的底部设有一用于连通内腔室与外界的出水通道；所述负离子发生器安装于外腔室。

9.根据权利要求8所述的可产生负离子的花盆，其特征在于：所述放电装置安装于所述外腔室的顶部，所述供电装置、低频振荡器、高频振荡器和变压整流电路分别安装于所述外腔室的底部。