[实用新型]薄膜晶体管阵列基板及液晶显示器有效
| 申请号： | 201320346619.9 | 申请日： | 2013-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN203367290U | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 许宗义 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/10;H01L27/02 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 刁文魁;唐秀萍 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 液晶显示器 | ||
1.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，包括：
基板；
多晶硅层，形成于所述基板上，所述多晶硅层包括：
第一结晶区；
第二结晶区；
所述第一结晶区和所述第二结晶区中的晶粒界面均与所述第一结晶区和第二结晶区之间的界面垂直。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于：
所述第一结晶区和所述第二结晶区形成于一断开空间内，由所述断开空间两侧的非晶硅层经激光照射形成，所述断开空间沿一长度方向延伸，所述断开空间具有一与所述长度方向垂直的宽度，所述宽度的范围为1~30微米。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于：所述多晶硅层还包括第三结晶区，所述第三结晶区连接所述第一结晶区，其中所述第三结晶区与所述第一结晶区由位于所述断开空间同一侧的非晶硅层形成。
4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于：所述多晶硅层还包括第四结晶区，所述第四结晶区连接所述第二结晶区，所述第四结晶区和所述第二结晶区由位于所述断开空间另一侧的非晶硅层形成。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于：所述基板和所述多晶硅层之间还设置有一缓冲层。
6.一种液晶显示器，其特征在于：包括薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板包括：
基板；
多晶硅层，形成于所述基板上，所述多晶硅层包括：
第一结晶区；
第二结晶区；
所述第一结晶区和所述第二结晶区中的晶粒界面均与所述第一结晶区和第二结晶区之间的界面垂直。
7.根据权利要求6所述的液晶显示器，其特征在于：
所述第一结晶区和所述第二结晶区形成于一断开空间内，由所述断开空间两侧的非晶硅层经激光照射形成，所述断开空间沿一长度方向延伸，所述断开空间具有一与所述长度方向垂直的宽度，所述宽度的范围为1~30微米。
8.根据权利要求7所述的液晶显示器，其特征在于：所述多晶硅层还包括第三结晶区，所述第三结晶区连接所述第一结晶区，其中所述第三结晶区与所述第一结晶区由位于所述断开空间同一侧的非晶硅层形成。
9.根据权利要求7所述的液晶显示器，其特征在于：所述多晶硅层还包括第四结晶区，所述第四结晶区连接所述第二结晶区，所述第四结晶区和所述第二结晶区由位于所述断开空间另一侧的非晶硅层形成。
10.根据权利要求6所述的液晶显示器，其特征在于：所述基板和所述多晶硅层之间还设置有一缓冲层。
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