[实用新型]抑制Yb-ASE的铒镱共掺光纤激光器有效
| 申请号： | 201320352697.X | 申请日： | 2013-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN203387042U | 公开（公告）日： | 2014-01-08 |
| 发明（设计）人： | 阮双琛;欧阳德钦;郭春雨;闫培光 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | H01S3/067 | 分类号： | H01S3/067 |
| 代理公司： | 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) 44312 | 代理人： | 陈健 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 抑制 yb ase 铒镱共掺 光纤 激光器 | ||
1.一种抑制Yb-ASE的铒镱共掺光纤激光器，其特征在于，包括：
种子激光器，产生激光作为种子光；
功率放大级，对所述种子光进行功率放大；
第一全固光子带隙光纤，其设置于所述功率放大级的前端，带隙覆盖镱波段而不包含铒波段，用于损耗后向Yb-ASE；
第二全固光子带隙光纤，其设置于所述功率放大级的后端，带隙覆盖镱波段而不包含铒波段，用于损耗前向Yb-ASE。
2.如权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述第一全固光子带隙光纤或第二全固光子带隙光纤的带隙位于1030nm-1140nm波段。
3.如权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述功率放大级的增益介质为铒镱共掺双包层光纤，信号光在纤芯传输，泵浦光在内包层传输。
4.如权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述功率放大级的泵浦光由半导体泵浦激光器产生。
5.如权利要求1所述的激光器，其特征在于，还包括：功率预放大级，其设置于所述功率放大级之前，用于对所述种子光进行功率预放大。
6.如权利要求5所述的激光器，其特征在于，所述功率预放大级为耦接的第一掺铒光纤放大器及第二掺铒光纤放大器。
7.如权利要求5所述的激光器，其特征在于，还包括：光纤隔离器，其耦接于所述功率预放大级之后，用于防止所述种子光反向传输损坏所述功率预放大级。
8.如权利要求1所述的激光器，其特征在于，还包括：波分复用器，其耦接于所述第一全固光子带隙光纤前端，用于监测后向Yb-ASE。
9.如权利要求1所述的激光器，其特征在于，还包括：包层功率剥离器，其耦接于所述功率放大级之后，用于滤除未被吸收的泵浦光。
10.如权利要求1所述的激光器，其特征在于，还包括：光纤端帽，其熔接在所述第二全固光子带隙光纤末端。
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