[实用新型]一种设置N-SLS层的GaN基发光二极管外延片

说明书

技术领域

本实用新型涉及LED外延片技术领域，具体涉及一种设置N-SLS层的GaN基发光二极管外延片。

背景技术

目前，蓝绿光发光二极管的主流是在蓝宝石或碳化硅衬底上生长GaN材料，其中绝大部分采用蓝宝石作为衬底，由于蓝宝石衬底与GaN材料之间较大的晶格失配与热失配，导致GaN外延层内产生高密度的缺陷，例如穿透位错。实验证明这些缺陷是III族氮化物基发光二极管中反向漏电电流产生的一个重要途径。现有的外延片在生产过程中，通常是在生长完N型GaN层后直接生长MQW发光层InGaN/GaN的多量子阱层,导致发光效率低，抗静电能力差。

发明内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种设置N-SLS层的GaN基发光二极管外延片，该技术方案有效解决传统外延片抗静电能力差，从而导致芯片击穿和发光效率低的问题。

本实用新型通过以下技术方案实现：

一种设置N-SLS层的GaN基发光二极管外延片，包括蓝宝石衬底层（1）、Buffer—缓冲层（2）、N型GaN层（3）、MQW发光层（5）以及P型GaN层（6），其特征在于：所述MQW发光层（5）与N型GaN层（3）之间设置有N—SLS层（4），N—SLS层（4）、MQW发光层（5）构成发光区（7）。

本实用新型进一步技术改进方案是：

所述N—SLS层（6）为GaN/InGaN超晶格层, 厚度为20nm；所述GaN/InGaN超晶格层为参杂硅的GaN/InGaN超晶格材料制成。

本实用新型与现有技术相比，具有以下明显优点：本实用新型在传统外延片的生长完N型GaN层后生长一层N—SLS层，然后再生长MQW发光层InGaN/GaN的多量子阱层，N—SLS层、MQW发光层构成发光区，不但改善了量子阱界面质量，增强了量子阱发光强度，提高了GaN基LED芯片的发光效率，而且提升了抗静电能力，避免芯片击穿的问题。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

图1中11为蓝宝石衬底层；2为Buffer—缓冲层；3为N型GaN层；4为N—SLS层；5为MQW发光层；6为P型GaN层；7为发光区。

具体实施方式

如图1所示，本实用新型包括蓝宝石衬底层1、Buffer—缓冲层2、N型GaN层3、MQW发光层5以及P型GaN层6，所述MQW发光层5与N型GaN层3之间设置有N—SLS层4，N—SLS层4、MQW发光层5构成发光区7，所述N—SLS层6为GaN/InGaN超晶格层, 厚度为20nm，所述GaN/InGaN超晶格层为参杂硅的GaN/InGaN超晶格材料制成。

本实用新型未涉及部分均与现有技术相同或可采用现有技术加以实现。