[实用新型]电缆耐压试验装置有效
申请号: | 201320358198.1 | 申请日: | 2013-06-21 |
公开(公告)号: | CN203337770U | 公开(公告)日: | 2013-12-11 |
发明(设计)人: | 张高磊;张之明;胡滨 | 申请(专利权)人: | 河南开启电力实业有限公司 |
主分类号: | G01R31/12 | 分类号: | G01R31/12 |
代理公司: | 郑州红元帅专利代理事务所(普通合伙) 41117 | 代理人: | 黄军委 |
地址: | 451162 河南省郑*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电缆 耐压 试验装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种试验装置,具体的说,涉及了一种用于工频交流耐压试验中的电缆耐压试验装置。
背景技术
工频交流耐压试验是鉴定电线电缆绝缘强度最直接的方法,它对于判断电线电缆是否投入运行具有决定性的意义,也是保证电线电缆绝缘水平、避免绝缘事故的重要手段。电缆耐压试验对电缆绝缘性能要求更高,同时也是检验电缆绝缘性能最好的方法。
但是,目前的试验方法在实际操作中会存在以下问题:将电缆线两端分别置于两个灌有绝缘硅油的试验管中,通电后,两端的电缆绝缘层与电缆半导体层在电缆半导体层的端部横断面附近聚集有大量电荷,造成该横断面附近局部电场强度过大,使该横断面附近容易被击穿,造成试验在没有正常完成的情况下被迫中断,通常出现此种情况不是电缆本身的质量问题,而是近端或者远端放电量过大,并且电量没有得到有效的释放或者释放超过了电缆半导体层的传输负荷造成击穿。而电缆耐压试验是一种破坏性试验,一次试验没有完成便不能够再次使用原来的电缆进行重新试验,需要重新截取电缆试验。如此既浪费时间又浪费材料。
为了解决以上存在的问题,人们一直在寻求一种理想的技术解决方案。
实用新型内容
本实用新型的目的是针对现有技术的不足,从而提供一种设计科学、半导体层及其周围电场均匀、绝缘层与半导体层不易被击穿的电缆耐压试验装置。
为了实现上述目的,本实用新型所采用的技术方案是:一种电缆耐压试验装置,包括竖向设置在绝缘支架上的一对试验管,两个所述试验管的下端均设有封堵结构,两个所述封堵结构均具有与电缆线半导体层适配的电缆线插孔;其中一个所述试验管的上端设有金属电极盖,另一个所述试验管的上端设有绝缘盖。
基于上述,所述金属电极盖包括设置在对应所述试验管上端的盖体以及设置在所述盖体上的电极接头。
基于上述,所述金属电极盖为铜电极盖,所述绝缘盖为高阻尼盖。
基于上述,两个所述试验管下端分别设置有阀门。
基于上述,所述试验管为耐高压有机玻璃管。
基于上述,所述封堵结构为一体设于所述试验管下端的封堵板。
本实用新型相对现有技术具有实质性特点和进步,具体的说,该电缆耐压试验装置将电缆线插孔设置在试验管底端,使得电缆线通过电缆线插孔从下往上插入到试验管中。使用时从试验管上端依次注入水和硅油,使电缆线的绝缘层位于硅油中,使电缆线的半导体层位于水中,由于水本身的性质,对于半导体层而言,水层相当于加大了半导体层的体积和表面积,从而使半导体层与绝缘层的分界处附近的电荷分布更均匀,不会在局部聚集,因此不会产生局部场强过大的情况,避免了由于电荷局部聚集造成的击穿现象的发生,从而顺利进行如四倍四小时电缆耐压试验等电缆耐压试验。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
图中:1.绝缘支架;2.硅油;3.试验管;4.封堵结构;5.盖体;6.绝缘盖;7.电缆线;8.水;9.电极接头;10.阀门;11.绝缘层;12.半导体层;13.金属屏蔽层。
具体实施方式
下面通过具体实施方式,对本实用新型的技术方案做进一步的详细描述。
如图1所示,一种电缆耐压试验装置,包括竖向设置在绝缘支架1上的一对试验管3,所述试验管3为耐高压有机玻璃管。两个所述试验管3的下端均设有封堵结构4,所述封堵结构4为一体设于所述试验管3下端的封堵板。两个所述封堵结构4均具有与电缆线7的半导体层12适配的电缆线插孔。这样设计使得电缆线7通过所述电缆线插孔从下往上插入到试验管3中,使所述电缆线7的不同电缆层与试验管3中的不同液体试验介质相对应,从而进行如四倍四小时电缆耐压试验等电缆耐压试验。在本实施例中,水8和硅油2均为该试验的液体试验介质,水8可以导电,硅油2不导电,由于水8的密度大于硅油2的密度,所以硅油2漂浮在所述水面上。因此,将电缆线7呈“U”型设置,剥开所述电缆线7的两个端部,使所述电缆线7的两个所述端部从上到下依次为绝缘层11和半导体层12,将所述电缆线7的两个端部分别由两个电缆线插孔向上插入试验管3,先后向试验管中注入水8和硅油2使,所述绝缘层11位于所述硅油2中,所述半导体层12位于所述水8中。所述半导体层12具有均匀电场的作用,而所述水8的作用是在所述半导体层12外形成一个用于辅助均匀电场的介质层,使所述半导体层12与所述绝缘层11的分界处的电荷分布更均匀,不会在局部聚集,因此不会产生局部场强过大的情况,保护该分界处附近不被击穿。
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