[实用新型]一种发光二极管外延片有效
| 申请号： | 201320358682.4 | 申请日： | 2013-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN203406319U | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 牛志宇 | 申请（专利权）人： | 东莞市德颖光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/10;H01L33/14 |
| 代理公司： | 东莞市华南专利商标事务所有限公司 44215 | 代理人： | 马腾飞 |
| 地址： | 523330 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 | ||
【权利要求书】：
1.一种发光二极管外延片，其特征在于：包括：
Si衬底层；
图形层，所述图形层具有纳米凸起图形，所述纳米凸起图形之间具有空隙间隔，所述图形层设置于所述Si衬底层上；
外延层；
接触层，所述接触层包括低In组分的低掺杂n型In0.05Ga0.95N层和高In组分的高掺杂n型In0.1Ga0.9N层。
2.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于：所述纳米凸起图形的横截面形状为三角形、多边形或圆形。
3.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于：所述纳米凸起图形的顶部具有平台。
4.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于：所述纳米凸起图形的宽度为0.05um，高度为1um，所述纳米凸起图形之间的空隙间隔的宽度为0.5um。
5.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于：所述外延层包括氮化镓基缓冲层，非掺杂氮化镓层，n型氮化镓基层，多量子阱层，p型铝镓氮层，p型氮化镓层。
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