[实用新型]一种高取光率的蓝光发光二极管外延片结构有效
| 申请号： | 201320358798.8 | 申请日： | 2013-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN203406314U | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 牛志宇 | 申请（专利权）人： | 东莞市德颖光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02 |
| 代理公司： | 东莞市华南专利商标事务所有限公司 44215 | 代理人： | 马腾飞 |
| 地址： | 523330 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高取光率 发光二极管 外延 结构 | ||
1.一种高取光率的蓝光发光二极管外延片结构，其特征是：包括自下而上依次设置的钼衬底（1）、P-CaN下接触层（2）、PAICaN下过渡层（3）、InGaN/GaN发光层（4）、PAICaN上过渡层（5）和P-CaN上接触层（6）；所述钼衬底（1）上表面设有若干第一光提取槽（7），所述P-CaN下接触层（2）下表面设有与所述第一光提取槽（7）尺寸及数量上相配合的光提取凸体（8），所述PAICaN下过渡层（3）上表面设有若干第二光提取槽（9），所述InGaN/GaN发光层（4）下表面设有与所述第二光提取槽（9）尺寸及数量上相配合的发光凸体（10），所述第一光提取槽（7）、第二光提取槽（9）的底面上，以及光提取凸体（8）的顶端均设有光提取结构。
2.根据权利要求1所述的高取光率的蓝光发光二极管外延片结构，其特征是：所述钼衬底（1）厚度为30～60um；所述第一光提取槽（7）深度为15~30um；所述PAICaN下过渡层（3）厚度为4000~8000nm，所述第二光提取槽（9）深度为2000~4000nm；所述PAICaN上过渡层（5）厚度为4000~8000nm；所述P-CaN上接触层（6）厚度为2000~4000nm；所述InGaN/GaN（4）发光层厚度为3000~5000nm。
3.根据权利要求1所述的高取光率的蓝光发光二极管外延片结构，其特征是：所述第一光提取槽（7）和第二光提取槽（9）均为圆柱形槽，其底面为半球型凹面。
4.根据权利要求1所述的高取光率的蓝光发光二极管外延片结构，其特征是：所述光提取凸体（8）伸入第一光提取槽（7）内，光提取凸体（8）伸入量为第一光提取槽（7）深度的一半，其中发光凸体（10）伸入第二光提取槽（9）内，发光凸体（10）伸入量为第二光提取槽（9）深度的一半。
5.根据权利要求1-4任一所述的高取光率的蓝光发光二极管外延片结构，其特征是：所述光提取结构为均匀布设在第一光提取槽（7）、第二光提取槽（9）的底面上，以及光提取凸体（8）的顶端若干纳米凹坑（11）。
6.根据权利要求1-4任一所述的高取光率的蓝光发光二极管外延片结构，其特征是：所述光提取结构为均匀布设在第一光提取槽（7）、第二光提取槽（9）的底面上，以及光提取凸体（8）的顶端若干环形的纳米凹纹（12）。
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